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本实用新型实施例提出一种微纳晶体管,涉及微纳晶体管技术领域。所述微纳晶体管包括衬底、缓冲层、外延层、势垒层、栅极介质层、栅极金属层、源极金属层以及漏极金属层,所述缓冲层铺设于所述衬底,所述外延层的端部与所述缓冲层面连接,所述势垒层铺设与所述...该专利属于广东省半导体产业技术研究院所有,仅供学习研究参考,未经过广东省半导体产业技术研究院授权不得商用。
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本实用新型实施例提出一种微纳晶体管,涉及微纳晶体管技术领域。所述微纳晶体管包括衬底、缓冲层、外延层、势垒层、栅极介质层、栅极金属层、源极金属层以及漏极金属层,所述缓冲层铺设于所述衬底,所述外延层的端部与所述缓冲层面连接,所述势垒层铺设与所述...