一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构，包括硅片衬底，所述硅片衬底背面设置有叠层背面钝化膜，所述叠层背面钝化膜上间隔设置有背面电极主栅区；在所述叠层背面钝化膜上非背面电极主栅区激光开槽形成重复点群组结构单元，所述重复点群组结构单元由2‑18个圆孔状激光光斑重叠3％‑17％圆面积区域构成，所述重复点群组结构单元的中心点间隔0.2‑1.0mm。本实用新型专利技术的激光开槽导电结构，可以将背部传导平面分割为更小导电结构单元的方式，缩短了光生电流传导路径，提升了载流子的传输收集能力，同时可以降低激光开槽对电池硅片衬底造成的晶格破坏和复合损伤，提升单多晶硅背面钝化局域背接触太阳电池的光电转换效率和组件可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构
本技术涉及硅片背面钝化
，具体为一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构。
技术介绍
常规单多晶硅太阳电池的主要效率区间为18.6-20.3％，为了进一步提升晶体硅电池光电转换效率，在电池背面增加了钝化层，通过背面钝化层的作用，电池的表面复合速率显著降低，电池的效率提升到19.3-21.7％，对应的组件发电输出功率也大幅提高。和常规单多晶电池工艺相比，背面钝化局域背接触单多晶电池主要增加了背面钝化、背面SiNx膜沉积和激光打孔开槽三道工艺。其中激光打孔开槽工艺是利用一定脉冲宽度的激光作用于背面钝化和背面SiNx膜层，高能量的单色激光束与膜层发生力与热相互作用后形成圆孔状光斑，去除掉圆孔区域覆盖在电池背面的钝化层和SiNx覆盖层，以使丝网印刷的铝浆可以与电池背面的硅片衬底形成有效接触，从而使光生载流子可以通过Al层导出，并形成局域铝背场结构，因Al浆无法穿透SiNx层，其余未被激光去除的钝化层被覆盖在其上方的SiNx覆盖层保护，发挥降低表面复合速率，提升效率的作用。通常背面的激光打孔开槽结构面积约占电池片表面积的3-8％，常见的有贯通线型和虚线型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构，包括硅片衬底(1)，其特征在于：所述硅片衬底(1)背面设置有叠层背面钝化膜(2)，所述叠层背面钝化膜(2)上间隔设置有背面电极主栅区(3)；在所述叠层背面钝化膜(2)上非背面电极主栅区(3)激光开槽形成重复点群组结构单元(4)，所述重复点群组结构单元(4)由2‑18个圆孔状激光光斑(5)重叠3％‑17％圆面积区域构成，所述重复点群组结构单元(4)的中心点间隔0.2‑1.0mm。

【技术特征摘要】
1.一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构，包括硅片衬底(1)，其特征在于：所述硅片衬底(1)背面设置有叠层背面钝化膜(2)，所述叠层背面钝化膜(2)上间隔设置有背面电极主栅区(3)；在所述叠层背面钝化膜(2)上非背面电极主栅区(3)激光开槽形成重复点群组结构单元(4)，所述重复点群组结构单元(4)由2-18个圆孔状激光光斑(5)重叠3％-17％圆面积区域构成，所述重复点群组结构单元(4)的中心点间隔0.2-1.0mm。2.根据权利要求1所述的一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构，其特征在于：所述叠层背面钝化膜(2)包括氧化硅膜层、氧化铝膜层以及氮化硅膜层，所述氧化硅膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：王岚，杨蕾，张元秋，常青，吴俊旻，张冠纶，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34