一种硅基太阳能电池及其制备方法技术

本申请公开了一种硅基太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括：硅衬底，在硅衬底的正面形成有PN结；在PN结的上方依次形成有隧穿层、石墨烯层、重掺非晶硅层、减反射层和正面电极；正面电极穿透减反射层与重掺非晶硅层直接接触；在硅衬底的背面形成有背面电极。该太阳能电池中利用石墨烯作为一种导电材料应用于太阳能电池中，利用石墨烯的高透光性和高载流子迁移率，提高了硅太阳电池的填充因子、转化效率。同时，该石墨烯层所结合的遂穿层能够起到钝化作用，并且结合重掺非晶硅层可以形成高低结以实现载流子输运，从而进一步提高了硅基太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基太阳能电池及其制备方法
本申请涉及太阳能
，尤其涉及一种硅基太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
随着全球经济发展，对能源需求日益增长，而煤等化石能源储量有限必然会逐渐枯竭，发展新能源迫在眉睫。太阳能作为地球生命之源，一种近乎于无限储量的能源，一直是新能源中的首选。到达地球的太阳能功率极其巨大，可达173,000TW，相当于每秒提供500万吨煤炭所蕴含的能量，因此，可将太阳能直接转换为电能的太阳能电池成为了人们关注重点。在目前众多光伏发电技术中，硅基太阳能电池，特别是晶体硅基太阳能电池依旧占据了光伏市场主要份额。但与传统能源相比，由于硅基太阳能电池的转换效率不够高，导致在能源市场上不占优势。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供了一种硅基太阳能电池及其制备方法，以提高硅基太阳能电池的转换效率。为了达到上述专利技术目的，本申请采用了如下技术方案：一种硅基太阳能电池，包括：第一导电类型的硅衬底，在所述硅衬底的正面形成有PN结；在所述PN结的上方依次形成有隧穿层、石墨烯层、第二导电类型的重掺非晶硅层、减反射层和正面电极；所述正面电极穿透所述减反射层与所述重掺非晶硅层直接接触；在所述硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基太阳能电池，其特征在于，包括：第一导电类型的硅衬底，在所述硅衬底的正面形成有PN结；在所述PN结的上方依次形成有隧穿层、石墨烯层、第二导电类型的重掺非晶硅层、减反射层和正面电极；所述正面电极穿透所述减反射层与所述重掺非晶硅层直接接触；在所述硅衬底的背面形成有背面电极；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型的导电类型相反。

【技术特征摘要】
1.一种硅基太阳能电池，其特征在于，包括：第一导电类型的硅衬底，在所述硅衬底的正面形成有PN结；在所述PN结的上方依次形成有隧穿层、石墨烯层、第二导电类型的重掺非晶硅层、减反射层和正面电极；所述正面电极穿透所述减反射层与所述重掺非晶硅层直接接触；在所述硅衬底的背面形成有背面电极；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型的导电类型相反。2.根据权利要求1所述的硅基太阳能电池，其特征在于，所述石墨烯层包括1-10层石墨烯。3.根据权利要求2所述的硅基太阳能电池，其特征在于，所述石墨烯层包括1-5层石墨烯。4.根据权利要求1-3任一项所述的硅基太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层的厚度范围为1-20纳米。5.根据权利要求1-3任一项所述的硅基太阳能电池，其特征在于，所述重掺非晶硅层的厚度范围为70-90纳米。6.根据权利要求1-3任一项所述的硅基太阳能电池，其特征在于，所述P...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙恒超，贾锐，陶科，姜帅，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11