一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法，提供经过预处理的硅片；对硅片进行第一次扩散，在硅片正面形成第一掺杂层；对硅片进行第二次扩散，在第一掺杂层上方形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度大于第一掺杂层的掺杂浓度；保留预设正面电极区域的第二掺杂层，刻蚀掉预设正面电极区域之间的第二掺杂层；在预设正面电极区域的第二掺杂层上方形成正面电极。由于第二掺杂层即重掺杂层和第一掺杂层即轻掺杂层是两次扩散形成的，因此，可以使轻掺杂层的掺杂浓度很低，使重掺杂层的掺杂浓度很高，进而可以增大重掺杂层和轻掺杂层的掺杂浓度差异，提升太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法
本专利技术涉及太阳能
，更具体地说，涉及一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法。
技术介绍
太阳能电池的终极目标是降低成本和提高效率，在目前标准的太阳能电池生产工艺下，效率的提升已经达到了极限。在太阳能电池的众多参数中，选择性发射极(Selective-Emiter，SE)是最能影响PN结晶体硅太阳能电池转换效率的参数之一。选择性发射极是在正面电极(金属栅线)与硅片接触部位进行重掺杂，在正面电极之间进行轻掺杂的结构，其可以降低扩散层复合，提高光线的短波响应，同时减少正面电极与硅片的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而可以提升太阳能电池的转换效率。传统的选择性发射极结构的制作方法包括：对清洗制绒的硅片进行一次扩散后，在硅片表面的正面电极的位置喷蜡，再用HF和HNO3的混合溶液刻蚀没有喷蜡的区域，来形成在正面电极的位置形成重掺杂、在其他位置形成轻掺杂的结构。或者，对清洗制绒的硅片进行一次扩散后，用激光将正面电极位置的PN结的结深打的更深一点，同样可以形成在正面电极的位置形成重掺杂、在其他位置形成轻掺杂的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种选择性发射极结构的制作方法，其特征在于，包括：提供经过预处理的硅片；对所述硅片进行第一次扩散，在所述硅片正面形成第一掺杂层；去除所述硅片表面的杂质，并对所述硅片进行第二次扩散，在所述第一掺杂层上方形成第二掺杂层，所述第二掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂层的掺杂浓度；保留预设正面电极区域的第二掺杂层，刻蚀掉所述预设正面电极区域之间的第二掺杂层，以暴露出所述预设正面电极区域之间的第一掺杂层；在所述预设正面电极区域的所述第二掺杂层上方形成正面电极。

【技术特征摘要】
1.一种选择性发射极结构的制作方法，其特征在于，包括：提供经过预处理的硅片；对所述硅片进行第一次扩散，在所述硅片正面形成第一掺杂层；去除所述硅片表面的杂质，并对所述硅片进行第二次扩散，在所述第一掺杂层上方形成第二掺杂层，所述第二掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂层的掺杂浓度；保留预设正面电极区域的第二掺杂层，刻蚀掉所述预设正面电极区域之间的第二掺杂层，以暴露出所述预设正面电极区域之间的第一掺杂层；在所述预设正面电极区域的所述第二掺杂层上方形成正面电极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成正面电极之前，还包括：在所述硅片表面形成减反射膜。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，保留预设正面电极区域的第二掺杂层，刻蚀掉所述预设正面电极区域之间的第二掺杂层，包括：在所述硅片表面形成掩膜，所述掩膜覆盖所述预设正面电极区域，暴露出所述预设正面电极区域之间的区域；对所述掩膜暴露出的区域的第二掺杂层进行刻蚀，暴露出所述第二掺杂层下方的第一掺杂层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述掩膜是采用印蜡工艺在所述硅片表面形成的。5.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，所述第一掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱佳佳，郑霈霆，张昕宇，金浩，祁文杰，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33