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本发明提供了一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法，提供经过预处理的硅片；对硅片进行第一次扩散，在硅片正面形成第一掺杂层；对硅片进行第二次扩散，在第一掺杂层上方形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度大于第一掺杂层的掺杂浓度；保留预设正面...
该专利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司授权不得商用。

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