可降低导通电阻提高运行可靠性的GaN HEMT器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种可降低导通电阻提高运行可靠性的GaN HEMT器件，与现有技术不同的是InxAlyGa1‑x‑yN势垒层由矩阵排列的多个环组成，环的外侧是覆盖于沟道层上的源电极，环的内侧是覆盖于沟道层上的漏电极，在InxAlyGa1‑x‑yN势垒层、源电极及漏电极上有第一介质钝化层，所述栅电极是位于第一介质钝化层上且置于源电极及漏电极之间的环形，栅电极的下部穿过第一介质钝化层至InxAlyGa1‑x‑yN势垒层表面，在所述第一介质钝化层及栅电极的上表面覆有第二介质钝化层，在所述漏电极上有穿过第一介质钝化层及第二介质钝化层的通孔，在通孔内及第二介质钝化层上有扩展电极。

【技术实现步骤摘要】
可降低导通电阻提高运行可靠性的GaNHEMT器件
本技术涉及一种GaNHEMT器件，尤其是一种可降低导通电阻提高运行可靠性的GaNHEMT器件。
技术介绍
作为继第一代半导体硅（Si）和第二代半导体砷化镓（GaAs）之后的第三代半导体材料代表—氮化镓（GaN）具有独特的材料特性：宽禁带、耐高温、高电子浓度、高电子迁移率、高导热性等，GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）已广泛应用于微波通讯和电力电子转换等领域。GaNHEMT器件的导通电阻是影响器件性能的关键指标，如GaNHEMT器件的导通电阻大，在射频器件中体现为输出功率密度降低，在电力电子器件中体现为导通损耗增加从而影响电源转换效率，同时导通电阻大会导致器件发热量大，增加散热成本甚至影响器件可靠性，为此人们均致力于降低器件导通电阻。GaNHEMT器件由下至上依次为衬底（硅、蓝宝石、碳化硅等）、AlxGa1-xN缓冲层、GaN或InGaN沟道层，在沟道层上有InxAlyGa1-x-yN势垒层（可有GaN或SiN帽层覆盖其上）、源电极及漏电极，在InxAlyGa1-x-yN势垒层上有介质钝化层，在介质钝化层上置有栅电极（栅本身和可能存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可降低导通电阻提高运行可靠性的GaN HEMT器件，由下至上依次为衬底（1）、缓冲层（2）、沟道层（3），在沟道层（3）上有InxAlyGa1‑x‑yN势垒层（4）、源电极（5）、漏电极（6）以及栅电极（7），其特征在于：所述InxAlyGa1‑x‑yN势垒层（4）由矩阵排列的多个环组成，环的外侧是覆盖于沟道层（3）上的源电极（5），环的内侧是覆盖于沟道层（3）上的漏电极（6），在InxAlyGa1‑x‑yN势垒层（4）、源电极（5）及漏电极（6）上有第一介质钝化层（21），所述栅电极（7）是位于第一介质钝化层（21）上且置于源电极（5）及漏电极（6）之间的环形，栅电极（7）的下部穿过...

【技术特征摘要】
1.一种可降低导通电阻提高运行可靠性的GaNHEMT器件，由下至上依次为衬底（1）、缓冲层（2）、沟道层（3），在沟道层（3）上有InxAlyGa1-x-yN势垒层（4）、源电极（5）、漏电极（6）以及栅电极（7），其特征在于：所述InxAlyGa1-x-yN势垒层（4）由矩阵排列的多个环组成，环的外侧是覆盖于沟道层（3）上的源电极（5），环的内侧是覆盖于沟道层（3）上的漏电极（6），在InxAlyGa1-x-yN势垒层（4）、源电极（...

【专利技术属性】
技术研发人员：任永硕，王荣华，
申请(专利权)人：大连芯冠科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁,21