本实用新型涉及一种半自动半导体设备部件清洗机，包括机架、设置在机架上的第一清洗区和第二清洗区，第一清洗区包括第一药液槽单元和第一平台，第二清洗区包括第二平台、第二药液槽单元、吹干槽和第三平台，清洗机还包括活动设置在机架上且位于第二清洗区...

本发明涉及一种氮化镓异质外延层，由下至上包括硅衬底、缓冲层和GaN层，其特征在于：还包括设置在所述硅衬底和所述缓冲层之间的厚度为500

本发明涉及基于表面等电势硅基板制成的级联型GaN器件，其包括框架载体、设置在框架载体上的GaN HEMT和硅基板、设置在硅基板上的MOSFET，其中GaN HEMT和MOSFET均具有D极、S极和G极，硅基板厚度d≤150μm；MOSF...

本发明提供一种阈值电压为负的开关器件的阈值电压测试方法及系统。本发明方法，包括：将阈值电压为负的开关器件作为被测试器件；将被测试器件的栅源之间通过外接电阻连接，漏栅端施加偏压，量测得到漏源电流与栅源电流的总电流；基于总电流与栅源间的外接...

本发明提供了一种提高GaN HEMT垂直方向抗击穿能力的封装结构，包括：GaN HEMT，所述GaN HEMT的源极、漏极和栅极三电极均位于第一表面，与所述第一表面相对的第二表面设置衬底；双面覆金属陶瓷基板，所述双面覆金属陶瓷基板的上表...

本发明提供一种开关器件的高频高压动态导通电阻测试电路及测量方法，电路包括主路和测试支路；所述主路包括被测开关管、负载、检流电阻以及供电电源，所述被测开关管的漏极与所述负载串联并连接于供电电源正极，源极与检流电阻串联并连接供电电源负极；所...

本发明属于半导体技术领域，主要运用在第三代化合物半导体及功率器件，具体是一种低位错密度氮化物的外延层生长方法。所述方法在缓冲层AlN和缓冲层AlxGa1‑xN的生长过程中通入卤化物，HCl、HBr、CCl

本实用新型公开一种功率半导体器件功率循环测试系统，设有控制电路及由控制电路控制的稳压电源、制冷装置及被测器件驱动电路；所述稳压电源的输出分别与多个检测支路相接；所述检测支路设有与稳压电源相接的检流电阻，与检测电阻串联有由控制电路控制开断...

本发明公开一种可减少漏电通道的HEMT器件的外延结构，包括硅衬底及依次形成的AlN缓冲层、AlxGa1‑xN缓冲层及GaN层，在所述硅衬底和AlN缓冲层之间有厚度为10~100nm的含碳化硅多晶混合物的过渡层，所述含碳化硅多晶混合物的过...

本发明公开一种功率半导体器件功率循环测试系统，设有控制电路及由控制电路控制的稳压电源、制冷装置及被测器件驱动电路；所述稳压电源的输出分别与多个检测支路相接；所述检测支路设有与稳压电源相接的检流电阻，与检测电阻串联有由控制电路控制开断的低...

本发明公开一种工艺流程简单、节约成本及效率高的氮化镓外延片垂直漏电流与霍尔效应复合测试方法，依次按照如下步骤进行：将势垒层表面分出垂直漏电流测试区域及霍尔效应测试区域；进行第一次光刻，使垂直漏电流测试区域全部暴露，霍尔效应测试区域正方形...

本发明公开一种半导体晶圆PCM测试方法，在硬件上设置了连接于测试源表和探针排之间并与电脑控制端口相接的开关矩阵，软件上增加了测试项目档案管理。电脑控制探针台进行PCM切换后，只需控制载台在一个PCM各个测试结构中移动、控制开关矩阵实现各...

本发明公开一种工艺流程简单、成本低、效率高且可保证加工精度的功率器件多场板的制备方法，与现有技术的区别是将光刻胶层逐次划分区域并控制各区域曝光时间，使光刻胶层在水平方向上分为完全曝光区、不完全曝光区及未曝光区，所述完全曝光区位于中部，完...

本发明公开一种可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层，有衬底、AlN缓冲层、AlxGa1‑xN缓冲层及GaN层，AlN缓冲层上表面有孔洞，所述孔洞内插接有MgxN纳米柱。制备方法依次按照如下步骤进行：在衬底上生长AlN缓冲层；控制反应室...

本发明公开一种工艺流程简单、成本低、效率高的选择性刻蚀制备功率器件多场板的方法，按照如下步骤进行：在基片上制备介质层；在介质层上制备刻蚀牺牲层；去除刻蚀牺牲层的部分区域至介质层界面，所述部分区域为多场板台阶最底层的正投影面积；以刻蚀牺牲...

本实用新型公开一种可降低导通电阻提高运行可靠性的GaN HEMT器件，与现有技术不同的是InxAlyGa1‑x‑yN势垒层由矩阵排列的多个环组成，环的外侧是覆盖于沟道层上的源电极，环的内侧是覆盖于沟道层上的漏电极，在InxAlyGa1‑...

本发明公开一种可提高开关速度或极限截止频率的具有GaAs和GaN复合沟道的GaN HEMT器件，由下至上依次为衬底、缓冲层、GaN沟道层及InxAlyGa1‑x‑yN势垒层，在有源区有源电极、漏电极及有栅电极，漏电极下方有从InxAly...

本发明公开一种方便正胶剥离的金属图形加工方法，有在基片上匀正胶、前烘、曝光、显影、制备金属层及剥离步骤，所述曝光与显影之间对光刻胶表面加热处理0.5~30分钟，使光刻胶表面与底面温差为5~20℃。相对高温的上层光刻胶具有较低的显影液溶解...

本发明公开一种具有极化匹配势垒层的增强型GaN HEMT，由下至上依次为衬底、缓冲层、沟道层及AlxInyGa1‑x‑yN势垒层，所述AlxInyGa1‑x‑yN势垒层边缘有隔离区，在隔离区之内有源区的AlxInyGa1‑x‑yN势垒层...

本发明公开一种可降低导通电阻提高运行可靠性的GaN HEMT器件，与现有技术不同的是InxAlyGa1‑x‑yN势垒层由矩阵排列的多个环组成，环的外侧是覆盖于沟道层上的源电极，环的内侧是覆盖于沟道层上的漏电极，在InxAlyGa1‑x‑...