The invention discloses a method for preparing multi-field plates of power devices by selective etching with simple process flow, low cost and high efficiency. The method follows the following steps: preparing dielectric layer on substrate; preparing etching sacrificial layer on dielectric layer; removing part of the etching sacrificial layer to the interface of dielectric layer, and the part of the area is the positive projection area of the bottom layer of multi-field plate steps to etch; The sacrificial layer etches the dielectric layer as a mask to etch up to one step depth of multi-field step; etches only the sacrificial layer and transversely etches up to one step length of multi-field step; judges whether the number of steps meets the requirements of multi-field plate structure, or not, returns to step d; Yes, proceeds downward; removes the remaining sacrificial layer of etching; prepares multi-field plate at multi-field step. \u3002
【技术实现步骤摘要】
选择性刻蚀制备功率器件多场板的方法
本专利技术涉及一种功率器件的制备方法，尤其是一种工艺流程简单、成本低、效率高的选择性刻蚀制备功率器件多场板的方法。
技术介绍
三五族化合物半导体砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）具有高电子迁移率，基于这两类半导体的高电子迁移率晶体管（HEMT）和二极管广泛应用于微波功率放大和电力电子电能转换。功率器件在实现微波信号放大和电能转换过程中需满足一定要求的击穿电压，目前砷化镓和氮化镓微波功率器件的设计电压通常在几伏至几十伏，而氮化镓电力电子功率器件的设计电压在几百伏至上千伏。砷化镓和氮化镓高电子迁移率晶体管和二极管均为平面沟道结构，增加源漏电极之间的间距是增加器件击穿电压的方法之一，但会带来导通电阻提升这一负面影响；器件设计者通过加入单个或多个场板结构对栅电极附近的电场强度进行重新分布，避免在一处集中形成电场强度尖峰，从而提高器件的可靠性。传统实现多场板的方法有两种：1）如图1（a）所示，在欧姆接触电极制备完成后，在其上沉积氮化硅或者氧化硅等介质薄膜（介质层），通过涂胶、曝光、显影、刻蚀、去胶再涂胶、曝光、显影、刻蚀、去胶的循环动作...
【技术保护点】
1.一种选择性刻蚀制备功率器件多场板的方法，其特征在于依次按照如下步骤进行：a. 在基片上制备介质层（1）；b. 在介质层（1）上制备刻蚀牺牲层（2）； c. 去除刻蚀牺牲层（2）的部分区域至介质层（1）界面，所述部分区域为多场板台阶最底层的正投影面积；d. 以刻蚀牺牲层（2）为掩膜对介质层（1）进行刻蚀，刻蚀至多场板台阶的一个台阶深度；e. 只对刻蚀牺牲层（2）进行刻蚀，横向刻蚀至多场板台阶的一个台阶长度；f. 判断台阶数量是否达到多场板结构要求，否，返回d步骤；是，向下进行；g. 去除剩余的刻蚀牺牲层（2）；h. 在多场板台阶处制备多场板。
【技术特征摘要】
1.一种选择性刻蚀制备功率器件多场板的方法，其特征在于依次按照如下步骤进行：a.在基片上制备介质层（1）；b.在介质层（1）上制备刻蚀牺牲层（2）；c.去除刻蚀牺牲层（2）的部分区域至介质层（1）界面，所述部分区域为多场板台阶最底层的正投影面积；d.以刻蚀牺牲层（2...
【专利技术属性】
技术研发人员：王荣华，宋书宽，任永硕，梁辉南，高珺，
申请(专利权)人：大连芯冠科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21
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