一种GPP芯片镀金方法技术

本发明专利技术提供一种GPP芯片镀金方法，包括预处理：去除GPP芯片表面氧化层，使所述GPP芯片表面原子活化；一次镀镍：在所述GPP芯片表面镀一次镍；镍烧结：镍原子向所述GPP芯片内部扩散，镍层与硅层相互结合；二次镀镍：在GPP芯片表面镀二次镍；镀金；在所述GPP芯片表面镀金。本发明专利技术的有益效果是GPP芯片电极面采用一次镀镍、烧结、二次镀镍以及镀金的工艺，二次镀镍可以有效地增加镍层与硅层的结合力，镀金有效的防止镍层氧化，镀镍金可以使GPP芯片与焊膏结合力更强，更有利于后道焊接，可靠性强，GPP芯片的使用寿命长。

A Gold Plating Method for GPP Chips

The invention provides a gold plating method for GPP chips, including pretreatment: removing the oxide layer on the surface of GPP chips to activate the atoms on the surface of GPP chips; once nickel plating: once nickel plating on the surface of GPP chips; nickel sintering: nickel atoms diffuse into the GPP chips, and the nickel layer and silicon layer combine with each other; twice nickel plating: twice nickel plating on the surface of GPP chips; gold plating; and once nickel plating on the GPP The surface is plated with gold. The invention has the beneficial effect that the electrode surface of the GPP chip adopts the process of one-time nickel plating, sintering, second nickel plating and gold plating. The second nickel plating can effectively increase the bonding force between the nickel layer and the silicon layer, prevent the oxidation of the nickel layer effectively, and the nickel gold plating can make the bonding force between the GPP chip and the solder paste stronger, and is more conducive to the back welding, has strong reliability, and the service life of the GPP chip is

【技术实现步骤摘要】
一种GPP芯片镀金方法
本专利技术属于GPP芯片生产
，尤其是涉及一种GPP芯片镀金方法。
技术介绍
GPP主要应用于LED、充电器、替代酸洗二极管(OJ)、整流桥等领域，随着LED市场的持续增长，充电器、整流桥市场趋于稳定，近年来，GPP芯片成本的持续降低，GPP将逐渐替代OJ芯片，GPP芯片的市场需求持续呈增长趋势，在现有技术中，GPP的生产工艺有刀刮法、电泳法、光阻法，技术难度、产品品质依次升高，但整体的技术难度仍然偏低，投资低、上量迅速，随着市场需求增加，大量作坊式厂家进入，使产品供大于求导致市场进入恶性的降价倾销模式，GPP芯片的镀金及测试是GPP芯片生产过程中必不可少的部分，镀金效果的好坏，将直接影响后道GPP芯片焊接，测试的自动化程度，将影响GPP芯片的生产速率，测试的执行标准和结果，将影响整个芯片的使用可靠性，从而影响GPP芯片的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供GPP芯片镀金及测试方法，可靠性强，增加GPP芯片的使用寿命。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种GPP芯片镀金方法，包括以下步骤：预处理：去除GPP芯片表面氧化层，使所述GP本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GPP芯片镀金方法，其特征在于，包括以下步骤：预处理：去除GPP芯片表面氧化层，使所述GPP芯片表面原子活化；一次镀镍：在所述GPP芯片表面镀一次镍；镍烧结：使镍原子向所述GPP芯片内部扩散，镍层与硅层相互结合；二次镀镍：在所述GPP芯片表面镀二次镍；镀金；在所述GPP芯片表面镀金。

【技术特征摘要】
1.一种GPP芯片镀金方法，其特征在于，包括以下步骤：预处理：去除GPP芯片表面氧化层，使所述GPP芯片表面原子活化；一次镀镍：在所述GPP芯片表面镀一次镍；镍烧结：使镍原子向所述GPP芯片内部扩散，镍层与硅层相互结合；二次镀镍：在所述GPP芯片表面镀二次镍；镀金；在所述GPP芯片表面镀金。2.根据权利要求1所述的一种GPP芯片镀金方法，其特征在于：所述一次镀镍步骤，是在PH值为7-10的碱性环境下，调节温度到60-100℃，将GPP芯片浸泡于镀镍液中进行一次镀镍。3.根据权利要求1或2所述的一种GPP芯片镀金方法，其特征在于：所述镍烧结步骤，在温度为500-650℃的温度下对所述GPP芯片进行烧结。4.根据权利要求3所述的一种GPP芯片镀金方法，其特征在于：所述二次镀镍是在PH值为7-10的碱性环境下，调节温度到60-100℃，将所述GPP芯片浸泡于镀镍液中进行二次镀镍。5.根据权利要求1-4任一所述的一种GPP芯片镀金方法，其特征在于：所述镀金步骤，是在酸性条件下，温度调节到60-100℃，将所述GPP芯片浸泡于镀金液中进行镀金。6.根据权利要求1-4任一所述的一种GPP芯片镀金方法，其特征在于：还包括镀金步骤后的测试步骤，具体为：根据芯片尺寸，设定电压值测试条件；利用测试装置，根据所述测试条件测试芯片的电学特性；测试装置利用脉冲信号对...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁效峰，王彦君，孙晨光，徐长坡，陈澄，武卫，王鹏，杨玉聪，韩义胜，张庆东，尚杰，丁成，
申请(专利权)人：天津环鑫科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12