一种多晶硅填充方法技术

本发明专利技术提供了一种多晶硅填充方法，包括：在硅衬底形成二氧化硅掩膜，并在所述硅衬底进行刻蚀以形成宽尺寸凹槽；在所述宽尺寸凹槽填充多晶硅，并对所述多晶硅进行回刻处理，所述多晶硅回刻之后表面形成凹坑；采用液态二氧化硅填充所述凹坑，并固化形成二氧化硅层；对所述二氧化硅层进行回刻，直至所述宽尺寸凹槽的多晶硅边缘的尖角区域露出；将所述尖角区域的多晶硅氧化为二氧化硅，并再次进行二氧化硅回刻；重复上述尖角区域的氧化和二氧化硅回刻步骤，直至所述宽尺寸凹槽内部的多晶硅表面平坦。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅填充方法
本专利技术涉及半导体芯片制造
，特别地，涉及一种适用于宽沟槽的多晶硅填充方法。
技术介绍
在半导体芯片制造中，经常会出现需要对沟槽进行填充以及对填充物进行回刻。然而，在利用多晶硅作为填充物进行沟槽填充以及对填充物进行回刻的过程中，经常会出现以下现象：对于开口尺寸越大的沟槽，填充物的填充效果越差，且在对填充物进行回刻之后，填充物表面的形貌越差，比如出现很深的凹坑等。因此，对于宽尺寸沟槽的上述问题会给后续的工艺带来一系列困难。有鉴于此，有必要提供一种多晶硅填充方法，以解决现有技术存在的上述问题。
技术实现思路
本专利技术的其中一个目的在于为解决上述问题而提供一种多晶硅填充方法。本专利技术提供的多晶硅填充方法，包括：在硅衬底形成二氧化硅掩膜，并在所述硅衬底进行刻蚀以形成宽尺寸凹槽；在所述宽尺寸凹槽填充多晶硅，并对所述多晶硅进行回刻处理，所述多晶硅回刻之后表面形成凹坑；采用液态二氧化硅填充所述凹坑，并固化形成二氧化硅层；对所述二氧化硅层进行回刻，直至所述宽尺寸凹槽的多晶硅边缘的尖角区域露出；将所述尖角区域的多晶硅氧化为二氧化硅，并再次进行二氧化硅回刻；重复上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅填充方法，其特征在于，包括：在硅衬底形成二氧化硅掩膜，并在所述硅衬底进行刻蚀以形成宽尺寸凹槽；在所述宽尺寸凹槽填充多晶硅，并对所述多晶硅进行回刻处理，所述多晶硅回刻之后表面形成凹坑；采用液态二氧化硅填充所述凹坑，并固化形成二氧化硅层；对所述二氧化硅层进行回刻，直至所述宽尺寸凹槽的多晶硅边缘的尖角区域露出；将所述尖角区域的多晶硅氧化为二氧化硅，并再次进行二氧化硅回刻；重复上述尖角区域的氧化和二氧化硅回刻步骤，直至所述宽尺寸凹槽内部的多晶硅表面平坦。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅填充方法，其特征在于，包括：在硅衬底形成二氧化硅掩膜，并在所述硅衬底进行刻蚀以形成宽尺寸凹槽；在所述宽尺寸凹槽填充多晶硅，并对所述多晶硅进行回刻处理，所述多晶硅回刻之后表面形成凹坑；采用液态二氧化硅填充所述凹坑，并固化形成二氧化硅层；对所述二氧化硅层进行回刻，直至所述宽尺寸凹槽的多晶硅边缘的尖角区域露出；将所述尖角区域的多晶硅氧化为二氧化硅，并再次进行二氧化硅回刻；重复上述尖角区域的氧化和二氧化硅回刻步骤，直至所述宽尺寸凹槽内部的多晶硅表面平坦。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在重复上述尖角区域的氧化和二氧化硅回刻步骤之后，所述宽尺寸凹槽内部的多晶硅的表面低于所述硅衬底的表面而形成一个浅槽。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：在所述浅槽重新填充多晶硅，并进行回刻处理，使得所述多晶硅表面和所述硅衬底表面平坦化。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅衬底形成二氧化硅掩膜，并在所述硅衬底进行刻蚀以形成宽尺寸凹槽的步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市晶特智造科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44