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本发明提供了一种多晶硅填充方法，包括：在硅衬底形成二氧化硅掩膜，并在所述硅衬底进行刻蚀以形成宽尺寸凹槽；在所述宽尺寸凹槽填充多晶硅，并对所述多晶硅进行回刻处理，所述多晶硅回刻之后表面形成凹坑；采用液态二氧化硅填充所述凹坑，并固化形成二氧化硅...
该专利属于深圳市晶特智造科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶特智造科技有限公司授权不得商用。

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