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本实用新型公开一种可降低导通电阻提高运行可靠性的GaN HEMT器件，与现有技术不同的是InxAlyGa1‑x‑yN势垒层由矩阵排列的多个环组成，环的外侧是覆盖于沟道层上的源电极，环的内侧是覆盖于沟道层上的漏电极，在InxAlyGa1‑x‑...
该专利属于大连芯冠科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大连芯冠科技有限公司授权不得商用。

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