The nanoimprint lithography method includes disposing the pretreatment compound on the nanoimprint lithography substrate to form a pretreatment coating, and disposing the discrete part of the imprint resist on the pretreatment coating, each discrete part of the imprint resist covers the target area of the nanoimprint lithography substrate. Impression resist is a polymer composition and includes a polymerization initiator. As the discrete parts of the imprint resist expand beyond the target area of the nanoimprint lithography substrate, a composite polymer coating is formed on the nanoimprint lithography substrate. The composite polymer coating was contacted with the nanoimprint lithography template. Activate the polymerization initiator and polymerize the composite polymeric coatings to produce a composite polymer layer on the nanoimprint lithography substrate and an uncured portion of the pretreated coating. After the composite polymeric coating is polymerized to produce a composite polymer layer, the uncured part of the pretreated coating is polymerized.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在纳米压印光刻中的固化基材预处理组合物相关申请的交叉引用本申请要求2016年3月31日提交的题为“在纳米压印光刻中的固化基材预处理组合物”的美国专利申请序列号62/316,377；和2017年3月24日提交的题为“在纳米压印光刻中的固化基材预处理组合物”的美国专利申请序列号15/469,298的权益；以上各自在此通过参考整体引入本文中。
本专利技术涉及在纳米压印光刻方法中的固化基材预处理组合物以及不依赖压印抗蚀剂的适宜于固化的预处理组合物。
技术介绍
因为半导体加工工业在增加每单位面积的电路数量的同时力求更大的生产量，所以已将注意力集中在可靠的高分辨率图案化技术的持续开发上。现今在使用的一种这样的技术通常称为压印光刻。压印光刻方法详细记载在许多公布中，例如美国专利申请公开号2004/0065252以及美国专利号6,936,194和8,349,241，所有这些通过参考引入本文中。已经采用压印光刻的其它发展领域包括生物技术、光学技术和机械体系。上述各专利文献中公开的压印光刻技术包括压印抗蚀剂中凸出图案(reliefpattern)的形成，以及将对应于凸出图案的图案转印...
【技术保护点】
1.一种纳米压印光刻法，其特征在于，其包括：将预处理组合物配置在纳米压印光刻基材上以在所述纳米压印光刻基材上形成预处理涂层，其中所述预处理组合物包含聚合性组分；将压印抗蚀剂的离散部分配置在所述预处理涂层上，所述压印抗蚀剂的各离散部分覆盖所述纳米压印光刻基材的目标区域，其中所述压印抗蚀剂是聚合性组合物并且包含聚合引发剂；随着所述压印抗蚀剂的各离散部分展开超出所述目标区域而在所述纳米压印光刻基材上形成复合聚合性涂层，其中所述复合聚合性涂层包含所述预处理组合物和所述压印抗蚀剂的混合物；使所述复合聚合性涂层与纳米压印光刻模板接触；使所述聚合引发剂活化；使所述复合聚合性涂层聚合以在所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 US 62/316,377;2017.03.24 US 15/469,2981.一种纳米压印光刻法，其特征在于，其包括：将预处理组合物配置在纳米压印光刻基材上以在所述纳米压印光刻基材上形成预处理涂层，其中所述预处理组合物包含聚合性组分；将压印抗蚀剂的离散部分配置在所述预处理涂层上，所述压印抗蚀剂的各离散部分覆盖所述纳米压印光刻基材的目标区域，其中所述压印抗蚀剂是聚合性组合物并且包含聚合引发剂；随着所述压印抗蚀剂的各离散部分展开超出所述目标区域而在所述纳米压印光刻基材上形成复合聚合性涂层，其中所述复合聚合性涂层包含所述预处理组合物和所述压印抗蚀剂的混合物；使所述复合聚合性涂层与纳米压印光刻模板接触；使所述聚合引发剂活化；使所述复合聚合性涂层聚合以在所述纳米压印光刻基材上产生复合聚合物层、和所述预处理涂层的未固化部分；和在使所述复合聚合性涂层聚合以产生复合聚合物层之后，使所述预处理涂层的未固化部分聚合。2.根据权利要求1所述的纳米压印光刻法，其中所述聚合引发剂包含第一光引发剂，并且使所述复合聚合性涂层聚合包括：通过用第一波长、第一强度、第一能量密度和第一持续时间的UV辐射照射所述复合聚合性涂层来引发所述复合聚合性涂层的聚合。3.根据权利要求1～2中任一项所述的纳米压印光刻法，其中所述预处理组合物基本上不包含聚合引发剂。4.根据权利要求1～3中任一项所述的纳米压印光刻法，其中使所述预处理涂层的未固化部分聚合包括：用第一波长和第二强度、第二能量密度、第二持续时间、或其组合的UV辐射照射所述预处理涂层的未固化部分，其中所述第二强度、所述第二能量密度、或所述第二持续时间中的至少之一不同于相应的所述第一强度、所述第一能量密度、或所述第一持续时间并且足以引发所述预处理组合物的未固化部分的自聚合。5.根据权利要求1～4中任一项所述的纳米压印光刻法，其中所述预处理组合物包含热引发剂。6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒂莫西·布赖恩·斯塔霍维亚克，刘卫军，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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