用于缩短纳米压印光刻的填充时间的压印抗蚀剂和基材预处理制造技术

技术编号:19561254 阅读:30 留言:0更新日期:2018-11-25 00:18
通过使用包括氟化组分的压印抗蚀剂和用预处理组合物处理过的基材以促进压印抗蚀剂在基材上的展开来提高纳米压印光刻法的处理量。预处理组合物与空气之间的界面能超过压印抗蚀剂与空气之间的界面能1mN/m,并且压印抗蚀剂在纳米压印光刻模板上的接触角小于15°。

Impression resist and substrate pretreatment for shortening filling time of nanoimprint lithography

The processing capacity of nanoimprint lithography is improved by using imprint resist including fluorinated component and substrate treated with pretreatment component to promote the deployment of imprint resist on the substrate. The interface energy between the pre-treated composites and the air is 1 mN/m higher than that between the imprint resist and the air, and the contact angle of the imprint resist on the nanoimprint lithography template is less than 15 degrees.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于缩短纳米压印光刻的填充时间的压印抗蚀剂和基材预处理相关申请的交叉引用本申请要求2016年3月31日提交的题为“用于缩短纳米压印光刻的填充时间的压印抗蚀剂和基材预处理”的美国临时申请序列号62/315,837;和2017年3月24日提交的题为“用于缩短纳米压印光刻的填充时间的压印抗蚀剂和基材预处理”的美国申请序列号15/469,224的权益;以上各自在此通过参考以其整体并入本文中。
本专利技术涉及在纳米压印光刻法中通过使用包含氟化组分的压印抗蚀剂和用预处理组合物处理的基材以促进压印抗蚀剂在基材上的展开来促进处理量。
技术介绍
因为半导体加工工业在增加每单位面积的电路数量的同时力求更大的生产量,注意力集中在可靠的高分辨率图案化技术的持续开发上。现今在使用的一种这样的技术通常称为压印光刻。压印光刻方法详细记载在许多公布中,例如美国专利申请公开号2004/0065252以及美国专利号6,936,194和8,349,241,所有这些通过参考引入本文中。已经使用压印光刻的其它发展领域包括生物技术、光学技术和机械体系。上述各专利文献中公开的压印光刻技术包括压印抗蚀剂中凸纹图案(reliefpa本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米压印光刻法,其特征在于,其包括:将预处理组合物配置在基材上以在所述基材上形成预处理涂层,其中所述预处理组合物包括第一聚合性组分;将压印抗蚀剂的离散部分配置在所述预处理涂层上,所述压印抗蚀剂的各离散部分覆盖所述基材的目标区域,其中所述压印抗蚀剂为聚合性组合物并且包括氟化表面活性剂和氟化聚合性组分中的至少一者;随着所述压印抗蚀剂的各离散部分展开超出其目标区域,在所述基材上形成复合聚合性涂层,其中所述复合聚合性涂层包括所述预处理组合物和所述压印抗蚀剂的混合物;将所述复合聚合性涂层与纳米压印光刻模板的表面接触;并且使所述复合聚合性涂层聚合以在所述基材上产生复合聚合物层,其中所述预处理组合物...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 US 62/315,837;2017.03.24 US 15/469,2241.一种纳米压印光刻法,其特征在于,其包括:将预处理组合物配置在基材上以在所述基材上形成预处理涂层,其中所述预处理组合物包括第一聚合性组分;将压印抗蚀剂的离散部分配置在所述预处理涂层上,所述压印抗蚀剂的各离散部分覆盖所述基材的目标区域,其中所述压印抗蚀剂为聚合性组合物并且包括氟化表面活性剂和氟化聚合性组分中的至少一者;随着所述压印抗蚀剂的各离散部分展开超出其目标区域,在所述基材上形成复合聚合性涂层,其中所述复合聚合性涂层包括所述预处理组合物和所述压印抗蚀剂的混合物;将所述复合聚合性涂层与纳米压印光刻模板的表面接触;并且使所述复合聚合性涂层聚合以在所述基材上产生复合聚合物层,其中所述预处理组合物与空气之间的界面能超过所述压印抗蚀剂与空气之间的界面能至少1mN/m,并且所述压印抗蚀剂在所述纳米压印光刻模板的表面上的接触角小于15°。2.根据权利要求1所述的纳米压印光刻法,其中所述压印抗蚀剂包括:0wt%~80wt%、20wt%~80wt%、或40wt%~80wt%的一种或多种单官能丙烯酸酯和20wt%~98wt%的一种或多种双官能或多官能丙烯酸酯,如果存在的话,则所述一种或多种单官能丙烯酸酯和/或所述一种或多种双官能或多官能丙烯酸酯包括氟化聚合性组分;1wt%~10wt%的一种或多种光引发剂;和1wt%~10wt%的一种或多种表面活性剂,如果存在的话,则所述一种或多种表面活性剂包括氟化表面活性剂。3.根据权利要求2所述的纳米压印光刻法,其中所述压印抗蚀剂包括90wt%~98wt%的一种或多种双官能或多官能丙烯酸酯并且基本上不包括单官能丙烯酸酯,或者其中所述压印抗蚀剂包括一种或多种所述单官能丙烯酸酯和20wt%~75wt%的一种或多种双官能或多官能丙烯酸酯。4.根据上述权利要求中的任一项所述的纳米压印光刻法,其中所述压印抗蚀剂包括氟化聚合性组分并且不包括氟化表面活性剂。5.根据权利要求4所述的纳米压印光刻法,其中所述氟化聚合性组分为氟化丙烯酸酯。6.根据权利要求5所述的纳米压印光刻法,其中所述氟化丙烯酸酯具有以下结构之一:其中,R为氟化烷基或氟化芳基。7.根据权利要求6所述的纳米压印光刻法,其中R为全氟烷基或全氟芳基。8.根据权利要求5所述的纳米压印光刻法,其中所述氟化丙烯酸酯包括以下中的至少一者:1H,1H,6H,6H-全氟-1,6-己二醇二丙烯酸酯,1H,1H-全氟-正辛基丙烯酸酯,1H,1H-全氟-正癸基丙烯酸酯,丙烯酸五氟苯酯,1,1,1,3,3,3-六氟异丙基丙烯酸酯,1H,1H,3H-六氟丁基丙烯酸酯,1H,1H,2H,2H-十七氟癸基丙烯酸酯,1H,1H,5H-八氟戊基丙烯酸酯,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-十二氟庚基丙烯酸酯,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘卫军蒂莫西·布赖恩·斯塔霍维亚克詹姆斯·P·德扬尼亚兹·科斯纳蒂诺夫
申请(专利权)人:佳能株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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