The supporting substrate (2) of the present disclosure is a polycrystalline SiC substrate formed by polycrystalline SiC. The particle size change rate of the substrate of the polycrystalline SiC substrate is less than 0.43%. One surface of the two surfaces of the polycrystalline SiC substrate is called the first surface, and the other surface is called the second surface. The particle size change rate of the substrate is defined as the polycrystalline S on the first surface. The difference between the average size of iC crystal and that of polycrystalline SiC on the second surface is divided by the thickness of polycrystalline SiC substrate, and the curvature radius of warpage of polycrystalline SiC substrate is more than 142 M.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多晶SiC基板及其制造方法相关申请的交叉引用本国际申请要求2016年4月5日在日本专利局提交的日本专利技术专利申请第2016-75920号的优先权，所述日本专利技术专利申请的全部内容通过引用而并入本文。
本公开涉及由多晶SiC形成的多晶SiC基板。
技术介绍
碳化硅(SiC)是具有2.2～3.3eV的宽禁带宽度的宽带隙半导体，其由于优异的物理化学特性，而作为耐环境性半导体材料被研究开发。尤其是近年来，SiC作为面向高耐压·大功率电子器件、高频电子器件、从蓝色到紫外的短波长光学器件的材料而备受瞩目，从而兴起了SiC的研究开发。不过，SiC难以制造优质的大口径单晶，从而妨碍了以往的SiC器件的实用化。为了解决上述诸问题，开发了使用SiC单晶基板作为晶种，并进行升华再结晶的改良型瑞利法。若利用该改良型瑞利法，则能够在控制SiC单晶的多晶型(4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC等)、形状、载流子类型、以及浓度的同时使SiC单晶生长。通过该改良型瑞利法的优化，晶体缺陷密度大幅度减少，从而实现了在该基板上形成肖特基二极管(SBD)或场效应晶体管(MOSFET)等电子器件...
【技术保护点】
1.一种多晶SiC基板，其由多晶SiC形成，所述多晶SiC基板的特征在于，所述多晶SiC基板的基板粒径变化率为0.43％以下，其中，将所述多晶SiC基板的两个表面中的一个表面称为第1表面，并将另一个表面称为第2表面，所述基板粒径变化率是用所述第1表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值与所述第2表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值之差除以所述多晶SiC基板的厚度而计算出的数值，并且所述多晶SiC基板的翘曲的曲率半径为142m以上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.05 JP 2016-0759201.一种多晶SiC基板，其由多晶SiC形成，所述多晶SiC基板的特征在于，所述多晶SiC基板的基板粒径变化率为0.43％以下，其中，将所述多晶SiC基板的两个表面中的一个表面称为第1表面，并将另一个表面称为第2表面，所述基板粒径变化率是用所述第1表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值与所述第2表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值之差除以所述多晶SiC基板的厚度而计算出的数值，并且所述多晶SiC基板的翘曲的曲率半径为142m以上。2.根据权利要求1所述的多晶SiC基板，其特征在于，所述第1表面和所述第2表面中的至少一方的以算术平均粗糙度表示的表面粗糙度为1nm以下。3.根据权利要求1所述的多晶SiC基板，其特征在于，在所述第1表面和所述第2表面中的至少一个表面中，形成于所述至少一个表面上的所有凹部均形成为，使得该至少一个表面与所述凹部中的距该至少一个表面最远的地点之间的距离为3nm以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：八木邦明，小林元树，
申请(专利权)人：株式会社希克斯，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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