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多晶SiC基板及其制造方法技术
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文档序号:19559314
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本公开的支承基板(2)是由多晶SiC形成的多晶SiC基板,该多晶SiC基板的基板粒径变化率为0.43%以下,其中,将多晶SiC基板的两个表面中的一个表面称为第1表面,并将另一个表面称为第2表面,基板粒径变化率是用第1表面上的多晶SiC的晶体...
该专利属于株式会社希克斯所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社希克斯授权不得商用。
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