SiC单晶转印用复合衬底、SiC单晶转印用复合衬底的制造方法、以及SiC接合衬底的制造方法技术

本发明专利技术提供如下SiC单晶转印用复合衬底、SiC单晶转印用复合衬底的制造方法、以及SiC接合衬底的制造方法：通过改善反复用于SiC接合衬底的制造过程中的SiC单晶衬底的翘曲而抑制SiC单晶衬底的搬运错误、不能将SiC单晶衬底保持于加工台的不良状况，并且能够通过表面活化工序、贴合工序将SiC单晶衬底通过静电卡盘保持于加工台并能够抑制接合不合格的产生。SiC单晶转印用复合衬底具备SiC单晶衬底、以及体积电阻率为10Ω·cm以下的第一SiC多晶衬底，所述SiC单晶衬底的单面通过共价键与所述第一SiC多晶衬底的单面直接接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及将用于半导体设备等的sic单晶衬底与sic多晶衬底进行接合，由将sic单晶薄膜从sic单晶衬底的表面分离而制作的sic单晶薄膜与sic多晶衬底构成的sic接合衬底的，尤其涉及sic单晶转印用复合衬底、sic单晶转印用复合衬底的制造方法、以及sic接合衬底的制造方法。

技术介绍

1、碳化硅(以下，有时称为“sic”。)若与硅(以下，有时称为“si”)比较，因为具有3倍左右的大的带隙(4h-sic为3.8ev左右，6h-sic为3.1ev左右，对应的si为1.1ev左右)和高的导热率(sic为5w/cm·k左右，对应的si为1.5w/cm·k左右)，所以近年来开始使用单晶sic作为功率器件用途的衬底材料。

2、通常，sic单晶衬底通过被称为升华再结晶法(改良雷利法)的气相法制作(例如参照非专利文献1)，加工为所希望的直径以及厚度。

3、改良雷利法是如下的制造方法：使sic的固体原料(通常为粉末)在高温(2,400℃以上)下加热、升华，在惰性气体气氛中升华后的硅原子与碳原子作为2,400℃的蒸气通过扩散而被运输，在设置为比原本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC单晶转印用复合衬底，其中，

2.根据权利要求1所述的SiC单晶转印用复合衬底，其中，所述第一SiC多晶衬底为晶片形状，所述第一SiC多晶衬底的圆周的轮廓线的最大值、与所述SiC单晶衬底和所述第一SiC多晶衬底的接合面的圆周的轮廓线相同。

3.一种SiC单晶转印用复合衬底的制造方法，其是权利要求1所述的SiC单晶转印用复合衬底的制造方法，其中，

4.根据权利要求3所述的SiC单晶转印用复合衬底的制造方法，其中，所述SiC单晶转印用复合衬底的制造方法包含侧面研磨工序，在所述侧面研磨工序中，在所述第一常温接合工序后，将所述第一SiC多晶衬底的侧...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种sic单晶转印用复合衬底，其中，

2.根据权利要求1所述的sic单晶转印用复合衬底，其中，所述第一sic多晶衬底为晶片形状，所述第一sic多晶衬底的圆周的轮廓线的最大值、与所述sic单晶衬底和所述第一sic多晶衬底的接合面的圆周的轮廓线相同。

3.一种sic单晶转印用复合衬底的制造方法，其是权利要求1所述的sic单晶转印用复合衬底的制造方法，其中，

4.根据权利要求3所述的sic单晶转印用...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺岛彰，
申请(专利权)人：株式会社希克斯，
类型：发明
国别省市：