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SiC单晶转印用复合衬底、SiC单晶转印用复合衬底的制造方法、以及SiC接合衬底的制造方法技术
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文档序号:44938563
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本发明提供如下SiC单晶转印用复合衬底、SiC单晶转印用复合衬底的制造方法、以及SiC接合衬底的制造方法:通过改善反复用于SiC接合衬底的制造过程中的SiC单晶衬底的翘曲而抑制SiC单晶衬底的搬运错误、不能将SiC单晶衬底保持于加工台的不良...
该专利属于株式会社希克斯所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社希克斯授权不得商用。
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