半导体基板制造技术

本发明专利技术提供一种贴合半导体基板，能够降低界面电阻。半导体基板具备单晶SiC基板和多晶SiC基板。单晶SiC基板与多晶SiC基板接合。单晶SiC基板与多晶SiC基板的接合区域含有1×10

Semiconductor Substrate

The invention provides a laminated semiconductor substrate, which can reduce the interface resistance. Semiconductor substrates have single crystal SiC substrates and polycrystalline SiC substrates. The single crystal SiC substrate is bonded with the polycrystalline SiC substrate. The bonding region between single crystal SiC substrate and polycrystalline SiC substrate contains 1 x 10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体基板
本申请基于2016年7月19日提出申请的日本专利申请第2016－141782号主张优先权。本说明书中通过参照援用该申请的全部内容。本说明书中公开了一种能够降低界面电阻的涉及贴合半导体基板的技术。
技术介绍
已知使SiC单晶与SiC多晶进行贴合的技术。其中，作为相关技术有日本特开2012－146694号公报的技术。
技术实现思路
若直接贴合SiC单晶和SiC多晶，则有时接合界面的电阻变高。这样则在制作以横切接合界面的方式形成电流路径的器件时，对器件特性造成影响，因此不理想。本说明书中，公开了一种半导体基板。该半导体基板的特征在于，是具备单晶SiC基板和多晶SiC基板的半导体基板，单晶SiC基板与多晶SiC基板相互接合，单晶SiC基板与多晶SiC基板的接合区域含有1×1021(atoms/cm3)以上的特定原子。若将单晶SiC基板与多晶SiC基板直接接合，则产生势垒，因此界面电阻变高。上述半导体基板中，使单晶SiC基板与多晶SiC基板相互接合。由于在单晶SiC基板与多晶SiC基板的接合界面存在势垒，因此存在界面电阻成分。但是，通过使特定原子含有1×1021(atoms/cm3)以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体基板，其特征在于，具备单晶SiC基板和多晶SiC基板，所述单晶SiC基板与所述多晶SiC基板接合，所述单晶SiC基板与所述多晶SiC基板的接合区域含有1×1021原子/cm3以上的特定原子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.19 JP 2016-1417821.一种半导体基板，其特征在于，具备单晶SiC基板和多晶SiC基板，所述单晶SiC基板与所述多晶SiC基板接合，所述单晶SiC基板与所述多晶SiC基板的接合区域含有1×1021原子/cm3以上的特定原子。2.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，所述特定原子是以1×1021原子/cm3以上的浓度存在于所述接合区域时，使所述接合区域的至少一部分的SiC晶体结构产生变化的原子。3.根据权利要求1或2所述的半导体基板，其特征在于，所述特定原子为氮N、磷P、硼B、铝Al、硅Si、碳C中的至少任一个。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体基板，其特征在于，所述单晶SiC基板与所述多晶SiC基板介由界面层接合，所述界面层的厚度为0.25纳米以上。5.根据权利要求4所述的半导体基板，其特征在于，所述特定原子为氮N，所述界面层为含有碳、硅和氮的复...

【专利技术属性】
技术研发人员：今冈功，村崎孝则，下俊久，内田英次，南章行，
申请(专利权)人：株式会社希克斯，
类型：发明
国别省市：日本,JP