The present application relates to silicon chalcogenide precursors, methods for forming the silicon chalcogenide precursors, and related methods for forming silicon nitride and semiconductor structures. The invention discloses a silicon chalcogenide precursor comprising a chemical formula Si (XR).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅硫族化物前体、形成硅硫族化物前体的方法和形成氮化硅以及半导体结构的相关方法优先权主张本申请案主张于2016年7月20日提出申请的美国专利申请案第15/215,102号“硅硫族化物前体、形成硅硫族化物前体的方法和形成氮化硅以及半导体结构的相关方法(SiliconChalcogenatePrecursors，MethodsofFormingtheSiliconChalcogenatePrecursors，andRelatedMethodsofFormingSiliconNitrideandSemiconductorStructures)”的申请日期的益处。
本文所揭示的实施例涉及半导体制作，其包括用于形成氮化硅的前体化合物、形成前体化合物的方法、形成氮化硅的方法和形成半导体结构的方法。更具体来说，本专利技术的实施例涉及硅硫族化物前体、形成硅硫族化物前体的方法、使用硅硫族化物前体形成氮化硅的方法和形成半导体结构的方法。
技术介绍
氮化硅(SiN)为制造集成电路(IC)广泛使用的材料。由于其低反应性和高热稳定性，氮化硅用作绝缘材料、遮罩材料、蚀刻终止材料、障壁材料、间隔...
【技术保护点】
1.一种形成氮化硅的方法，其包含：使硅硫族化物前体与含氮前体反应以形成氮化硅，所述硅硫族化物前体包含化学式Si(XR1)nR24‑n，其中X为硫、硒或碲，R1为氢、烷基、经取代的烷基、醇盐基、经取代的醇盐基、酰胺基、经取代的酰胺基、胺基、经取代的胺基或卤素基团，各R2独立地为氢、烷基、经取代的烷基、醇盐基、经取代的醇盐基、酰胺基、经取代的酰胺基、胺基、经取代的胺基或卤素基团，且n为1、2、3或4。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.20 US 15/215,1021.一种形成氮化硅的方法，其包含：使硅硫族化物前体与含氮前体反应以形成氮化硅，所述硅硫族化物前体包含化学式Si(XR1)nR24-n，其中X为硫、硒或碲，R1为氢、烷基、经取代的烷基、醇盐基、经取代的醇盐基、酰胺基、经取代的酰胺基、胺基、经取代的胺基或卤素基团，各R2独立地为氢、烷基、经取代的烷基、醇盐基、经取代的醇盐基、酰胺基、经取代的酰胺基、胺基、经取代的胺基或卤素基团，且n为1、2、3或4。2.根据权利要求1所述的方法，其中使硅硫族化物前体与含氮前体反应以形成氮化硅包含通过原子层沉积形成所述氮化硅。3.根据权利要求1所述的方法，其中使硅硫族化物前体与含氮前体反应以形成氮化硅包含通过化学气相沉积形成所述氮化硅。4.根据权利要求1所述的方法，其中使硅硫族化物前体与含氮前体反应以形成氮化硅包含在衬底上保形地形成所述氮化硅。5.根据权利要求1所述的方法，其中使硅硫族化物前体与含氮前体反应以形成氮化硅包含使所述硅硫族化物前体与氨、肼、叔丁基肼、单烷基肼、二烷基肼或其组合反应。6.根据权利要求1所述的方法，其中使硅硫族化物前体与含氮前体反应以形成氮化硅包含在小于或等于约350℃的温度下形成所述氮化硅。7.根据权利要求1所述的方法，其中使硅硫族化物前体与含氮前体反应以形成氮化硅包含在小于或等于约250℃的温度下形成所述氮化硅。8.根据权利要求1所述的方法，其中使硅硫族化物前体与含氮前体反应以形成氮化硅包含使所述硅硫族化物前体与所述含氮前体在无等离子体环境中反应。9.根据权利要求1所述的方法，其中使硅硫族化物前体与含氮前体反应以形成氮化硅包含：使所述硅硫族化物前体与衬底反应以在所述衬底上形成硅；使所述硅与所述含氮前体反应以在所述硅上形成氮；和重复使所述硅硫族化物前体反应和使所述硅与所述含氮前体反应的行为以在所述衬底上形成所述氮化硅。10.根据权利要求9所述的方法，其中使所述硅硫族化物前体与衬底反应以在所述衬底上形成硅包含使包含以下各项的硅硫族化物前体与所述衬底反应：Si(XR1)(R2)(R3...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒂莫西·A·奎克，苏密特·C·潘迪，斯特凡·乌伦布罗克，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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