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本申请案涉及硅硫族化物前体、形成所述硅硫族化物前体的方法和形成氮化硅以及半导体结构的相关方法。本发明揭示一种硅硫族化物前体，其包含化学式Si(XR...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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