半导体装置、电子设备及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种即使设置栅电极等金属膜也会使基板的翘曲得到抑制的半导体装置、电子设备及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具备：基板(3)；薄膜晶体管(2)；以及绝缘膜(7)，其位于基板(3)与薄膜晶体管(2)之间，绝缘膜(7)具有第一氧化硅膜(4)、被形成在第一氧化硅膜(4)上的氮化硅膜(5)以及被形成在氮化硅膜(5)上的第二氧化硅膜(6)，第一氧化硅膜(4)的氮浓度与第二氧化硅膜(6)的氮浓度相比而较低。

Manufacturing Method of Semiconductor Device, Electronic Equipment and Semiconductor Device

The invention provides a semiconductor device, an electronic device and a manufacturing method of a semiconductor device which can suppress the warpage of a substrate even if a metal film such as a gate electrode is arranged. Semiconductor device (1) has: substrate (3); thin film transistor (2); and insulation film (7), which is located between substrate (3) and thin film transistor (2). Insulation film (7) has first silicon oxide film (4), silicon nitride film (5) formed on first silicon oxide film (4), and second silicon oxide film (6) formed on first silicon nitride film (5), and first oxygen. The nitrogen concentration of silicon oxide film (4) is lower than that of silicon dioxide film (6).

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、电子设备及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置、电子设备及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在液晶显示装置、有机EL显示装置及电子纸等显示装置中，设置有用于对图像显示进行控制的开关元件。在该开关元件中，TFT(ThinFilmTransistor：薄膜晶体管)被广泛地用于半导体装置中。在专利文献1中公开了该TFT的结构。由此可见，在基板上设置有下部绝缘膜，且在下部绝缘膜上设置有半导体层。在半导体层中设置有源极、沟道、漏极的各个区域。另外，在半导体层之上设置有栅极绝缘膜，从而下部绝缘膜及栅极绝缘膜使离子所流动的区域被限定。在栅极绝缘膜之上设置有栅电极。栅电极被设置在与沟道对置的位置处。而且，在对栅电极进行图案形成之后，使栅电极成为掩膜，从而离子被注入至半导体层。此时，栅电极需为250nm以上的厚度。并且，在栅电极之上设置有上部绝缘膜。栅电极优选为电阻低且熔点高的金属。通过使其电阻低，从而能够使开关元件的响应性良好。此外，通过使其熔点高，从而能够实现高温的处理。然而，由于熔点高的金属其电阻率较高，因此为了实现低电阻而加厚栅电极的膜厚。在使该金属膜成膜时，在金属膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；薄膜晶体管；以及绝缘膜，其位于所述基板与所述薄膜晶体管之间，所述绝缘膜具有第一氧化硅膜、被形成在所述第一氧化硅膜上的氮化硅膜以及被形成在所述氮化硅膜上的第二氧化硅膜，所述第一氧化硅膜的氮浓度与所述第二氧化硅膜的氮浓度相比而较低。

【技术特征摘要】
2017.05.11 JP 2017-0944691.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；薄膜晶体管；以及绝缘膜，其位于所述基板与所述薄膜晶体管之间，所述绝缘膜具有第一氧化硅膜、被形成在所述第一氧化硅膜上的氮化硅膜以及被形成在所述氮化硅膜上的第二氧化硅膜，所述第一氧化硅膜的氮浓度与所述第二氧化硅膜的氮浓度相比而较低。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一氧化硅膜的氮浓度在3E20atoms/CC以上且9E20atoms/CC以下。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：工藤学，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP