半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明专利技术实施例揭露一种半导体结构，其包含：衬底；互连结构，其经形成于所述衬底上方且包含位于所述衬底上方的介电层、经形成于所述介电层内的第一导电部件及经形成于所述介电层内的第二导电部件；波导，其经形成于所述第一导电部件与所述第二导电部件之间；第一裸片，其经安置于所述互连结构上方且经电连接到所述第一导电部件；及第二裸片，其经安置于所述互连结构上方且经电连接到所述第二导电部件，其中所述波导与所述第一导电部件及所述第二导电部件耦合。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术实施例涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
使用半导体装置的电子设备对许多现代应用来说是必不可少的。随着电子技术进步，半导体装置变得越来越小，同时具有更强功能性及更多集成电路。归因于半导体装置的尺寸小型化，衬底上覆晶片上覆芯片(CoWoS)广泛用于通过贯穿衬底通路(TSV)来将若干芯片集成为单一半导体装置。在CoWoS操作期间，将诸多芯片组装于单一半导体装置上。此外，在这一小半导体装置内实施诸多制造操作。然而，半导体装置的制造操作涉及这一小且薄的半导体装置上的诸多步骤及操作。以小型化尺寸制造半导体装置变得更复杂。制造半导体装置的复杂性增加可引起例如不佳结构配置、组件分层或其它问题的缺陷，从而导致半导体装置的高产率损失且增加制造成本。因而，修改半导体装置的结构且改进制造操作存在诸多挑战。
技术实现思路
本专利技术实施例涉及一种半导体结构，其包括：衬底；互连结构，其经安置于所述衬底上方且包含位于所述衬底上方的介电层、经安置于所述介电层内的第一导电部件及经安置于所述介电层内的第二导电部件；波导，其经安置于所述第一导电部件与所述第二导电部件之间；第一裸片，其经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其包括：衬底；互连结构，其经安置于所述衬底上方且包含位于所述衬底上方的介电层、经安置于所述介电层内的第一导电部件及经安置于所述介电层内的第二导电部件；波导，其经安置于所述第一导电部件与所述第二导电部件之间；第一裸片，其经安置于所述互连结构上方且经电连接到所述第一导电部件；及第二裸片，其经安置于所述互连结构上方且经电连接到所述第二导电部件，其中所述波导与所述第一导电部件及所述第二导电部件耦合。

【技术特征摘要】
2017.04.28 US 15/581,6491.一种半导体结构，其包括：衬底；互连结构，其经安置于所述衬底上方且包含位于所述衬底上方的介电层、经安置于所述介电层内的第一导电部件及经安置于所述介电层内的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖文翔，周淳朴，董志航，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71