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本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明实施例揭露一种半导体结构,其包含:衬底;互连结构,其经形成于所述衬底上方且包含位于所述衬底上方的介电层、经形成于所述介电层内的第一导电部件及经形成于所述介电层内的第二导电部件;波导,其经形成于所...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明实施例揭露一种半导体结构,其包含:衬底;互连结构,其经形成于所述衬底上方且包含位于所述衬底上方的介电层、经形成于所述介电层内的第一导电部件及经形成于所述介电层内的第二导电部件;波导,其经形成于所...