一种加热组件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体设备加工技术领域，尤其涉及一种加热组件。本申请提供的加热组件，设于载板下方，包括呈上下设置的第一加热单元及第二加热单元，第一加热单元包括多根平行布置的第一加热元件，第二加热单元包括多根平行布置的第二加热元件；第一加热元件的排布方向垂直于第二加热元件的排布方向设置，且第一加热元件与第二加热元件在载板加热面上的投影构成多个环形加热区域。结构简单，设计合理，通过设有上下两层的加热单元，每个加热单元均包括多根加热元件，且两个加热单元的加热元件在载板加热面上的投影共同构成了多个环形加热区域，如此，把载板的加热面分为多个环形的区域，有效提高了加热温度分布的均匀性，利于工艺结果的提升。

【技术实现步骤摘要】
一种加热组件
本技术涉及半导体设备加工
，尤其涉及一种加热组件。
技术介绍
目前，光电器件、太阳能器件、半导体器件通常利用多种制造工艺处理衬底表面而被制造。外延膜或材料通过化学气相沉积(CVD)工艺或金属有机物CVD(MOCVD)工艺被生长或沉积在衬底上的方法被广泛应用，外延膜或材料通常对于特定的器件，例如光电器件、太阳能器件等都会包括多个不同组分的层。CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)、常压CVD(APCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)及金属有机化合物CVD(MOCVD)等。共同特征是用于工艺沉积的腔室与大气隔绝，内部用于沉积薄膜工艺的晶片衬底需要加热到一定的工艺温度，例如用于硅外延的APCVD和用于沉积GaN的MOCVD，其外延工艺温度超过1000℃。高温下如何保持温度均匀性，对工艺的结果会产生巨大的影响，如LED行业中的MOCVD设备的温度均匀性被要求达到1℃。特别的，对于平板式反应腔室，例如公开专利CN102422392加热灯系统及其方法的实施方案中，通过使晶片承载器沿着晶片承载器轨道将晶片衬底移送至工艺沉积腔室内，用于支撑晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加热组件，设于载板下方，用于对所述载板的加热面进行加热，其特征在于：包括呈上下设置的第一加热单元及第二加热单元，所述第一加热单元包括多根平行布置的第一加热元件，所述第二加热单元包括多根平行布置的第二加热元件；所述第一加热元件的排布方向垂直于所述第二加热元件的排布方向设置，且所述第一加热元件与第二加热元件在所述载板加热面上的投影构成多个环形加热区域。

【技术特征摘要】
1.一种加热组件，设于载板下方，用于对所述载板的加热面进行加热，其特征在于：包括呈上下设置的第一加热单元及第二加热单元，所述第一加热单元包括多根平行布置的第一加热元件，所述第二加热单元包括多根平行布置的第二加热元件；所述第一加热元件的排布方向垂直于所述第二加热元件的排布方向设置，且所述第一加热元件与第二加热元件在所述载板加热面上的投影构成多个环形加热区域。2.根据权利要求1所述的加热组件，其特征在于：所述第一加热元件及第二加热元件均包括加热段和非加热段，所述第一加热元件与第二加热元件的加热段在所述载板加热面上的投影构成类“回”字型。3.根据权利要求1所述的加热组件，其特征在于：所述第一加热元件及第二加热元件均为独立控制的加热灯管，所述加热灯管包括石英玻璃管及设于所述石英玻璃管内的灯丝。4.根据权利要求3所述的加热组件，其特征在于：还包括用于控制各个所述加热灯管中...

【专利技术属性】
技术研发人员：管长乐，南建辉，张金斌，
申请(专利权)人：北京创昱科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11