【技术实现步骤摘要】
含氯硅烷的渣浆料处理方法及处理系统
本专利技术属于多晶硅生产
，涉及多晶硅生产过程中渣浆料的处理
，具体而言，涉及一种含氯硅烷的渣浆料处理方法及处理系统。
技术介绍
在电子级多晶硅生产过程中，渣浆料主要来自四氯化硅氢化还原、三氯氢硅合成、氯硅烷分离提纯等装置，尤其是采用冷氢化工艺，冷氢化装置及分离提纯装置排放的渣浆料量大大增加。冷氢化工艺在生产过程中会产生以氯硅烷、硅粉及金属氯化物为主的渣浆料，该渣浆料的处理目前主要方法有以下四种：直接水解法、干燥水解法、萃取法、精馏法。其中，由于萃取法和精馏法处于试验阶段，暂不讨论。现主要对直接水解法和干燥水解法进行比较分析。直接水解法将系统中排出的渣浆料通过压差输送至水洗塔进料罐，对水洗塔进料罐用氮气增压，然后根据水洗系统处理能力，间歇性(连续性)进料，将渣浆料进行水解后，输送至污水处理系统进行进一步处理。由于直接对渣浆残液水洗，不进行回收，不但造成了渣浆中氯硅烷的浪费，而且也加大了水用量和碱用量。随着电子级多晶硅生产的规模的不断扩大，用此方法处理渣浆的成本也随之升高，目前该方法在大规模的电子级多晶硅生产中已不再适...
【技术保护点】
1.一种含氯硅烷的渣浆料处理方法，其特征在于，包括以下步骤：含氯硅烷的渣浆料进入渣浆料收集罐中，静置，利用渣浆料中组分的不相容性和密度差异，使得渣浆料在渣浆料收集罐中形成上清液和底部浑浊液；上清液自渣浆料收集罐上设置的不同高度的多个氯硅烷出料口排出，依次经过过滤器和输送泵后，进入氯硅烷回收装置中；底部浑浊液在压差作用下自渣浆料收集罐底部出口进入洗涤装置中进行洗涤。
【技术特征摘要】
1.一种含氯硅烷的渣浆料处理方法，其特征在于，包括以下步骤：含氯硅烷的渣浆料进入渣浆料收集罐中，静置，利用渣浆料中组分的不相容性和密度差异，使得渣浆料在渣浆料收集罐中形成上清液和底部浑浊液；上清液自渣浆料收集罐上设置的不同高度的多个氯硅烷出料口排出，依次经过过滤器和输送泵后，进入氯硅烷回收装置中；底部浑浊液在压差作用下自渣浆料收集罐底部出口进入洗涤装置中进行洗涤。2.根据权利要求1所述的含氯硅烷的渣浆料处理方法，其特征在于，含氯硅烷的渣浆料占渣浆料收集罐容积的70％～85％，优选为75％～80％；和/或，所述渣浆料收集罐为立式储罐。3.根据权利要求1所述的含氯硅烷的渣浆料处理方法，其特征在于，静置的时间为2.5～4.5小时，优选为3～4小时。4.根据权利要求1所述的含氯硅烷的渣浆料处理方法，其特征在于，在渣浆料收集罐的侧部设置不同高度的多个氯硅烷出料口，根据回收氯硅烷的取样检测结果，选择适宜的氯硅烷出料口，使得自该氯硅烷出料口排出的上清液中回收的氯硅烷满足电子级多晶硅的质量要求。5.根据权利要求4所述的含氯硅烷的渣浆料处理方法，其特征在于，不同高度的多个氯硅烷出料口的设置方式包括：在第一位置处设置第一出料口，第一位置与渣浆料收集罐罐底之间的高度为收集罐高度的25％～35％，优选为28％～32％，进一步优选为30％；在第N位置处设置第N出料口，第N位置与渣浆料收集罐罐顶之间的高度为收集罐高度的25％～35％，优选为28％～32％，进一步优选为30％；在第一位置与第N位置之间再设置多个等间距的氯硅烷出料口；优选地，相邻两个氯硅烷出料口之间的间距为0.2～0.5m，优选为0.3～0.4m。6.根据权利要求1～5任一项所述的含氯硅烷的渣浆料处理方法，其特征在于，过滤器的作用是将悬浮的金属氯化物和少量的硅粉进行过滤；优选地，过滤器的数量为2～10台，优选为3～5台；和/或，过滤器的数量与输送泵的数量相适应；和/或，多个过滤器之间为并联连接；优选地，过滤器包括布袋过滤器、精密过滤器、膜过滤器和自清洗过滤器中的至少一种，过滤器优选为布袋过滤器；和/或，氯硅烷回收装置包括冷氢化系统中的汽提塔进料罐和/或氯硅烷收集罐，氯硅烷回收装置优...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘铭，朱顺云，胥五一，郑永良，王金宝，刘虹宾，刘永生，孙康，朱发磊，危胜，杜斌功，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司，国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：青海,63
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