多晶硅生产中高沸物裂解工艺制造技术

本发明专利技术公开一种多晶硅生产中高沸物裂解工艺，包括：预处理：去除高沸物中的固体杂质和金属卤化物，得到第一混合物；第一次分离：在50‑150℃下使所述第一混合物分离，得到四氯化硅和氯硅烷低聚物；裂解：所述氯硅烷低聚物在催化剂作用下裂解得到氯硅烷混合物；第二次分离：将所述氯硅烷混合物送回脱高塔，去除未裂解的氯硅烷低聚物，得到单硅氯硅烷和不凝气。本工艺通过除去金属氯化物，可以有效防止金属氯化物与催化剂形成络合物，导致催化剂失活。所述沉降罐下端通入有承插管，所述承插管用于导出沉降后位于上层的低聚物混合物，使低聚物混合物催化裂解反应能更高效的进行。

Pyrolysis process of high boiling point in polycrystalline silicon production

The invention discloses a high boiling material pyrolysis process in polycrystalline silicon production, which comprises: pretreatment: removing solid impurities and metal halides from high boiling materials to obtain a first mixture; first separation: separating the first mixture at 50_150 C to obtain silicon tetrachloride and chlorosilane oligomers; pyrolysis: the chlorosilane is low; The polymer is cracked under the catalyst to obtain chlorosilane mixture; the second separation: the chlorosilane mixture is sent back to the desorption tower, and the chlorosilane oligomer without cracking is removed to obtain monochlorosilane and non-condensable gas. By removing metal chlorides, the process can effectively prevent metal chlorides from forming complex with the catalyst, resulting in deactivation of the catalyst. The lower end of the settling tank is provided with a socket for deriving the oligomer mixture located at the upper layer after settling, so that the catalytic cracking reaction of the oligomer mixture can be carried out more efficiently.

【技术实现步骤摘要】
多晶硅生产中高沸物裂解工艺
本专利技术涉及多晶硅制备领域，具体涉及一种多晶硅生产中高沸物裂解工艺。
技术介绍
当前全球多晶硅生产主流工艺是改良西门子法，其过程是利用H2将SiHCl3在高温环境中还原沉淀在U型硅芯棒上，制备成多晶硅。整个过程趋于闭路循环，基本实现多晶硅生产的清洁、高效。然而，在氯硅烷与多晶硅生产过程包括冷氢化、氯氢化和还原工艺过程，也伴随产生少量的高沸物，高沸物中，除金属氯化物及固体颗粒物外，还包括有氯硅烷低聚物，这些氯硅烷低聚物通常是通式为SinCl2n+2-mHm(n≥2，m≤2n+2，n、m∈N)的氯硅烷聚合物。这部分副产低聚物在西门子法多晶硅生产中并无直接利用价值，通常连同废渣等固体杂质一起排出，进行粗放水解处理。如果不加以有效利用会造成一定程度的资源浪费和环境问题。专利CN103663460A公开了一种多晶硅生产中氯硅烷高沸物裂解回收方法及其装置，并公开了一种氯硅烷高沸物和氯化氢在有机胺催化作用下在裂解反应塔内裂解的方法。该方法是将高沸物和有机胺化合物催化剂加入裂解反应塔内，加热升温使高沸物裂解，该工艺流程中无法有效去除氯硅烷高沸物中的固体颗粒物，因此需要使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅生产中高沸物裂解工艺，其特征在于，包括：预处理：去除高沸物中的固体杂质和金属卤化物，得到第一混合物；第一次分离：在50‑150℃下使所述第一混合物在脱高塔中分离，得到四氯化硅和氯硅烷低聚物；裂解：所述氯硅烷低聚物在催化剂作用下裂解得到氯硅烷混合物；第二次分离：将所述氯硅烷混合物送回脱高塔，去除未裂解的氯硅烷低聚物，得到单硅氯硅烷和不凝气。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅生产中高沸物裂解工艺，其特征在于，包括：预处理：去除高沸物中的固体杂质和金属卤化物，得到第一混合物；第一次分离：在50-150℃下使所述第一混合物在脱高塔中分离，得到四氯化硅和氯硅烷低聚物；裂解：所述氯硅烷低聚物在催化剂作用下裂解得到氯硅烷混合物；第二次分离：将所述氯硅烷混合物送回脱高塔，去除未裂解的氯硅烷低聚物，得到单硅氯硅烷和不凝气。2.根据权利要求1所述的多晶硅生产中高沸物裂解工艺，其特征在于，所述预处理步骤具体包括：将高沸物送入冷却搅拌罐，保持低温搅拌1-5小时后，送入沉降罐；向沉降罐通入氮气置换空气，使高沸物在氮气环境下沉降1-20小时，得到位于上层液态的第一混合物和位于下层的渣浆；所述渣浆包括固体杂质和金属卤化物。3.根据权利要求1所述的多晶硅生产中高沸物裂解工艺，其特征在于，所述第一次分离步骤具体包括：将所述第一混合物送至脱高塔，调节脱高塔内压力0.03-0.5MPa，在50-150℃下使所述第一混合物受热分离，得到四氯化硅和氯硅烷低聚物；所述四氯化硅送入冷凝组件冷凝后送回至脱高塔中；所述氯硅烷低聚物从脱...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚萍，甘居富，彭中，游书华，张聪，罗周，何鹏，李寿琴，
申请(专利权)人：内蒙古通威高纯晶硅有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古,15