一种在石英片基底上制备二维硒化钨规则层状薄片的方法技术

本发明专利技术公开了一种在石英片基底上制备硒化钨规则层状薄片的方法，包括如下步骤：S1：对石英片进行前期表面清洗处理；S2：将溶剂、硒源、钨源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液；S3：将经步骤S1清洗处理的石英片与步骤S2的反应前驱液充分接触，在高温高压的条件下充分反应后，在石英片上制备得到二维硒化钨规则层状薄片。本发明专利技术的硒化钨规则层状薄片制备方法具有制备工艺简单、成本低、可以直接得到纯度较高、厚度较小硒化钨规则层状薄片等优点，且由本发明专利技术所制备的硒化钨规则层状薄片在光探测器和场效应晶体管中具有良好的应用。

A method for preparing two dimensional tungsten selenide regular lamella on quartz substrate

The invention discloses a method for preparing regular layered tungsten selenide thin films on quartz sheet substrates, which comprises the following steps: S1: pre-cleaning quartz sheets; S2: uniformly mixing solvents, selenium sources, tungsten sources and reducing reagents to prepare reaction precursor solution; S3: cleaning quartz sheets and steps. Two-dimensional regular layered tungsten selenide thin films were prepared on quartz wafers after the reaction precursor of sudden S2 was fully contacted and fully reacted under high temperature and pressure. The preparation method of the regular layered tungsten selenide thin sheet has the advantages of simple preparation process, low cost, high purity and small thickness, etc. The regular layered tungsten selenide thin sheet prepared by the invention has good application in photodetectors and field effect transistors.

【技术实现步骤摘要】
一种在石英片基底上制备二维硒化钨规则层状薄片的方法
本专利技术涉及半导体规则层状薄片制备
，特别是涉及到一种基于溶剂热合成技术直接在石英片上制备二维的硒化钨规则层状薄片的方法及应用。
技术介绍
石英片具有二氧化硅(SiO2)含量可达99.99％以上，具有耐高温、电绝缘性能良好等特点。对于硒化钨(WSe2)，其具有独特的能带结构(禁带宽度约为1.66eV)、良好的电子输运特性、成本低廉而且不含有毒元素、性能稳定等优点。因此，其被认作是一种用于开发优良光电器件的材料。目前，常见的WSe2规则层状结构的制备方法一般为机械剥离法、化学气相沉积(CVD)等方法。而相对于化学气相沉积，溶剂热合成法则具有工艺简单、生产成本低廉、耗能小、而且可直接得到物相均匀、纯度较高、厚度较小的产物等优点。而通过溶剂热法或水热法制备二维的规则层状结构的较为少报道。
技术实现思路
为了解决上述的问题，本专利技术的目的是提供一种在石英片基底上制备二维硒化钨规则层状薄片的方法。本专利技术所采用的技术方案是：一种在石英片基底上制备二维硒化钨规则层状薄片的方法，包括如下步骤：S1：对石英片进行前期表面清洗处理；S2：将溶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在石英片基底上制备二维硒化钨规则层状薄片的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：对石英片进行前期表面清洗处理；S2：将溶剂、硒源、钨源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液；S3：将经步骤S1清洗处理的石英片与步骤S2的反应前驱液充分接触，在高温高压的条件下充分反应后，在石英片上制备得到二维硒化钨规则层状薄片。

【技术特征摘要】
1.一种在石英片基底上制备二维硒化钨规则层状薄片的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：对石英片进行前期表面清洗处理；S2：将溶剂、硒源、钨源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液；S3：将经步骤S1清洗处理的石英片与步骤S2的反应前驱液充分接触，在高温高压的条件下充分反应后，在石英片上制备得到二维硒化钨规则层状薄片。2.根据权利要求1所述的一种在石英片基底上制备二维硒化钨规则层状薄片的方法，其特征在于：所述步骤S1具体为：将石英片放入烧杯中，依次使用丙酮、无水乙醇各超声清洗10min，清洗结束后，用洁净的镊子把石英片从烧杯中取出后用去离子水冲洗，最后用吹风机吹干。3.根据权利要求1所述的一种在石英片基底上制备二维硒化钨规则层状薄片的方法，其特征在于：所述步骤S2具体为：在溶剂中先加入还原性试剂后，利用磁力搅拌；然后，依次加入硒源和钨源后，利用磁力搅拌至充分溶解，混合均匀得到反应前驱液。4.根据权利要求1所述的一种在石英片基底上制备二维硒化钨规则层状薄片的方法，其特征在于：所述步骤S3具体为：将清洗干净的石英片放入100ml干净的反应釜内衬中，斜靠在反应釜内衬底部内壁；然后将步骤S2的反应前驱液缓慢倒入该反应釜内衬中，套上不锈钢外衬放入鼓风恒温干燥箱中进行恒温反应，恒温反应结束后，将石英片从反应釜底部...

【专利技术属性】
技术研发人员：招瑜，温如春，魏爱香，刘俊，肖志明，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44