半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括非绝缘体结构、至少一个碳纳米管(CNT)、介电层、及基于石墨烯的导电层。碳纳米管是在非绝缘体结构上方。介电层围绕纳米碳管。基于石墨烯的导电层是在至少一个纳米碳管上方。

Semiconductor device

A semiconductor device includes a non-insulator structure, at least one carbon nanotube (CNT), a dielectric layer, and a graphene-based conductive layer. The carbon nanotubes are above the non insulator structure. The dielectric layer surrounds the carbon nanotubes. The conductive layer based on graphene is above at least one carbon nanotube.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本揭露内容是关于一种半导体装置。
技术介绍
集成电路(IC)的制造已通过增加在半导体装置中形成的集成电路的密度来驱使。这可通过实施更强力的设计规则以允许形成较大密度的集成电路装置来达成。尽管如此，集成电路装置诸如晶体管的增加的密度亦已增加处理具有减少特征大小的半导体装置的复杂性。
技术实现思路
本揭露内容的一实施方式提供一种半导体装置，其特征在于，包含非绝缘体结构、至少一纳米碳管(CNT)、介电层以及基于石墨烯的导电层。纳米碳管在非绝缘体结构上方。介电层围绕纳米碳管。基于石墨烯的导电层在至少一个纳米碳管上方。附图说明当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭示内容的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各特征的尺寸。图1是根据本揭示内容的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的流程图；图2至图18示出了根据本揭示内容的一些实施例的形成半导体装置的方法；图19是根据本揭示内容的一些实施例的用于制造半导体装置的方法的流程图；以及图20至图22示出了根据本揭示内容的一些实施例的形成半导体装置的方法。具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一非绝缘体结构；至少一纳米碳管，在该非绝缘体结构上方；一介电层，围绕该纳米碳管；以及一基于石墨烯的导电层，在至少一个该纳米碳管上方。

【技术特征摘要】
2017.04.24 US 62/489,444;2017.08.31 US 15/...

【专利技术属性】
技术研发人员：周友华，庄国胜，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71