一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极制造技术

本发明专利技术公开了一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极，包括磁钢和磁轭，一个阴极包括七道磁钢，一个磁轭与七道磁钢通过磁力相连接，相邻的两道磁钢互相磁路闭合，所有的磁钢均以正中间磁钢为对称轴左右对称分布，本发明专利技术的设置，由于磁钢道数的增多以及特殊设计的磁路结构，会使得磁场从传统的V字型转变为U字型，能够对靶面进行更大面积的刻蚀，从而提升了靶材的利用率，从目前的20%提升到40%，有效节省了材料，同时，因为刻蚀面更加平坦，可以有效提高膜层的均匀性，获得更好的镀膜效果；单个靶材使用时间的延长，可以避免频繁更换靶材，降低开真空室的次数，既可以保证生产的连续性，提高工作效率，也可以改善产品的洁净度。

【技术实现步骤摘要】
一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极
本专利技术涉及一种矩形磁控溅射阴极，具体涉及一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极。
技术介绍
镀膜是在表面镀上非常薄的薄膜，其具有耐磨、润滑、导电、光学、装饰等功能。随着人们对产品的追求越来越高，越来越多的物品的表面都会镀膜。镀膜最普遍的做法就是通过镀膜机镀膜，而使用较多的就是溅射类镀膜，可以简单的理解为利用离子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，最终沉积在基片表面，最后形成薄膜。目前镀膜行业中使用溅射类镀膜的通常是三道磁钢的磁控溅射阴极，受限于其工作原理，靶材利用率非常低，大概在20%，这样就导致大量的材料浪费；同时，靶材利用率低还会导致设备需要频繁的更换靶材，大大影响生产效率。
技术实现思路
本专利技术提供一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极，解决了现有的三道磁钢的磁控溅射阴极靶材利用率低的问题，从而节约了大量的材料费用；同时，靶材利用率低还会导致设备需要频繁的更换靶材，大大影响生产效率的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了如下的技术方案：本专利技术一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极，包括磁钢和磁轭，一个阴极包括七道磁钢，一个所述磁轭与七道磁钢通过磁力相连接，相邻的两道磁钢互相磁路闭合，所有的磁钢均以正中间磁钢为对称轴左右对称分布，且所有的磁钢共同形成U字型的磁场。作为本专利技术的一种优选技术方案，七道磁钢非等距离分布。作为本专利技术的一种优选技术方案，七道磁钢非等高度。作为本专利技术的一种优选技术方案，七道磁钢非等宽度。作为本专利技术的一种优选技术方案，每道磁钢内均含有若干个磁钢。本专利技术所达到的有益效果是：由于磁钢道数的增多以及特殊设计的磁路结构，会使得磁场从传统的V字型转变为U字型，能够对靶面进行更大面积的刻蚀，从而提升了靶材的利用率，从目前的20%提升到40%，有效节省了材料，同时，因为刻蚀面更加平坦，可以有效提高膜层的均匀性，获得更好的镀膜效果；单个靶材使用时间的延长，可以避免频繁更换靶材，降低开真空室的次数，既可以保证生产的连续性，提高工作效率，也可以改善产品的洁净度。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本专利技术一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极中磁路结构图；图2是本专利技术一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极的磁路结构中的磁场图；图3是本专利技术一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极的磁路结构对应的靶材刻蚀形貌示意图；图4是传统的平面磁控溅射阴极中磁路结构图；图5是传统的平面磁控溅射阴极中磁路结构中的磁场图；图6是传统的平面磁控溅射阴极中磁路结构对应的靶材刻蚀形貌示意图；图中：1、磁钢；2、磁轭。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例：如图1-6所示，本专利技术一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极，包括磁钢1和磁轭2，一个阴极包括七道磁钢1，一个磁轭2与七道磁钢1通过磁力相连接，相邻的两道磁钢1互相磁路闭合，所有的磁钢1均以正中间磁钢1为对称轴左右对称分布，且所有的磁钢1共同形成U字型的磁场。七道磁钢1非等距离分布，正中间磁钢1单侧的其他磁钢1相互之间分布的距离无需相同。七道磁钢1非等高度，正中间磁钢1单侧的其他磁钢1的高度无需相等。七道磁钢1非等宽度，正中间磁钢1单侧的其他磁钢1的宽度无需相同。每道磁钢1内均含有若干个磁钢1。具体的，在使用时，通过该高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极在镀膜时，由于一个磁轭2配对的磁钢1的数量从原来的3道改变成七道，会使阴极外产生不同于传统的磁路结构，产生的磁场也由原来的V型转变成U字型，能够比较全面的对靶材进行刻蚀，提高了靶材的利用率。该种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极，由于磁钢1道数的增多以及特殊设计的磁路结构，会使得磁场从传统的V字型转变为U字型，能够对靶面进行更大面积的刻蚀，从而提升了靶材的利用率，从目前的20%提升到40%，有效节省了材料，同时，因为刻蚀面更加平坦，可以有效提高膜层的均匀性，获得更好的镀膜效果；单个靶材使用时间的延长，可以避免频繁更换靶材，降低开真空室的次数，既可以保证生产的连续性，提高工作效率，也可以改善产品的洁净度。最后应说明的是：以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极，包括磁钢（1）和磁轭（2），其特征在于，一个阴极包括七道磁钢（1），一个所述磁轭（2）与七道磁钢（1）通过磁力相连接，相邻的两道磁钢（1）互相磁路闭合，所有的磁钢（1）均以正中间磁钢（1）为对称轴左右对称分布，且所有的磁钢（1）共同形成U字型的磁场。

【技术特征摘要】
1.一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极，包括磁钢（1）和磁轭（2），其特征在于，一个阴极包括七道磁钢（1），一个所述磁轭（2）与七道磁钢（1）通过磁力相连接，相邻的两道磁钢（1）互相磁路闭合，所有的磁钢（1）均以正中间磁钢（1）为对称轴左右对称分布，且所有的磁钢（1）共同形成U字型的磁场。2.根据权利要求1所述的一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，张奇龙，
申请(专利权)人：杭州朗为科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33