【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用这里通过参考并入2017年4月10日提交的日本专利申请No.2017-077264和2017年7月13日提交的日本专利申请No.2017-136892的全部公开内容，包括说明书、附图和摘要。
本专利技术涉及半导体器件，并且适用于包括如下半导体芯片的半导体器件，该半导体芯片被倒装芯片键合在印刷电路板上方。
技术介绍
半导体器件可通过将半导体芯片倒装芯片键合在印刷电路板上方来制造。日本未审查专利申请公开No.2013-211511(专利文献1)描述了涉及半导体器件的技术，所述半导体器件包括形成在半导体芯片的电极焊盘上方的Cu柱和通过焊接彼此耦合的印刷电路板的连接端子。非专利文献1：P.Liu，A.Overson和D.Goyal，“KeyParametersforFastNiDissolutionduringElectromigrationofSn0.7CuSolderJoint”，2015ElectronicComponents&TechnologyConference，第99-105页，2015年，描述了涉及焊接接头部分处的电迁移...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括印刷电路板和安装在所述印刷电路板上方的半导体芯片，其中所述半导体芯片包括：第一绝缘膜；焊盘，形成在所述第一绝缘膜上方；第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜上方并且包括露出所述焊盘的一部分的第一开口；和柱电极，形成在从所述第一开口露出的所述焊盘上方；其中所述印刷电路板包括：端子；和第三绝缘膜，具有露出所述端子的一部分的第二开口；其中所述半导体芯片的所述第二绝缘膜包括面对所述印刷电路板的第一主表面；其中所述印刷电路板的所述第三绝缘膜包括面对所述半导体芯片的第二主表面；其中在平面图中所述柱电极包含所述第一开口并且所述柱电极的一部分与所述第二绝缘膜重叠；其中所述...
【技术特征摘要】
2017.04.10 JP 2017-077264;2017.07.13 JP 2017-136891.一种半导体器件，包括印刷电路板和安装在所述印刷电路板上方的半导体芯片，其中所述半导体芯片包括：第一绝缘膜；焊盘，形成在所述第一绝缘膜上方；第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜上方并且包括露出所述焊盘的一部分的第一开口；和柱电极，形成在从所述第一开口露出的所述焊盘上方；其中所述印刷电路板包括：端子；和第三绝缘膜，具有露出所述端子的一部分的第二开口；其中所述半导体芯片的所述第二绝缘膜包括面对所述印刷电路板的第一主表面；其中所述印刷电路板的所述第三绝缘膜包括面对所述半导体芯片的第二主表面；其中在平面图中所述柱电极包含所述第一开口并且所述柱电极的一部分与所述第二绝缘膜重叠；其中所述半导体芯片的所述柱电极和所述印刷电路板的所述端子经由介于所述柱电极和所述端子之间的焊料层耦合，以及其中，所述柱电极的距所述第一主表面的第一厚度大于或等于所述焊料层的距所述第二主表面的第二厚度的一半并且小于或等于所述第二厚度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一厚度和所述第二厚度之和大于或等于所述柱电极的第一直径的0.5倍并且小于或等于所述柱电极的第一直径的0.8倍。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一开口的第二直径大于或等于所述柱电极的第一直径的0.4倍并且小于或等于所述柱电极的第一直径的0.75倍。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二绝缘膜具有无机绝缘膜和在所述无机绝缘膜上方的树脂膜的层叠结构；其中所述层间绝缘膜包括第三开口；其中所述树脂膜包括第四开口；其中在平面图中所述第三开口包含所述第四开口，以及其中所述第一开口通过用于所述树脂膜的所述第四开口形成。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述柱电极被放置为与所述树脂膜接触，但不放置为与所述层间绝缘膜接触。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述树脂膜可作为聚酰亚胺树脂膜来获得。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述无机绝缘膜由氮化硅膜和氮氧化硅膜之一制成。8.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述树脂膜等同于所述半导体芯片的最上层处的绝缘膜。9.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述焊盘和所述柱电极之间的所述树脂膜的第三厚度大于所述焊盘的第四厚度并且小于所述第一厚度。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一开口具有圆形的平面形...
【专利技术属性】
技术研发人员：坂田贤治，秋叶俊彦，船矢琢央，土屋秀昭，吉田裕一，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。