一种复合硅基板及其制备方法、一种芯片和一种电子器件技术

本发明专利技术公开了一种复合硅基板及其制备方法、一种芯片和一种电子器件，所述复合硅基板包括硅衬底，所述硅衬底的表面具有若干凹陷区，至少一个所述凹陷区内依次覆有绝缘缓冲层和第三代半导体材料层。本发明专利技术的复合硅基板同时具有硅和第三代半导体材料两种半导体材料区，能够同时满足高速通讯和快速逻辑运算的需求，在电子器件领域具有较好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种复合硅基板及其制备方法、一种芯片和一种电子器件
本专利技术涉及显示领域，尤其是涉及一种复合硅基板及其制备方法、一种芯片和一种电子器件。
技术介绍
现有技术中在硅衬底上设计电路往往只能适合逻辑控制，而目前人们对于半导体基板的需求不仅希望其能够满足逻辑控制，还希望其能够适用于高频率且高输出运作的功率元件，如场效应晶体管(FET)等，因此需要寻找一种合适的半导体基板，能够同时适合快速逻辑运算和高速通讯的特点。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的是提供一种复合硅基板及其制备方法、一种芯片和一种显示器，能够同时满足快速逻辑运算和高速通讯的需求。本专利技术所采取的技术方案是：本专利技术提供一种复合硅基板，包括硅衬底，所述硅衬底的表面具有若干凹陷区，至少一个所述凹陷区内依次覆有绝缘缓冲层和第三代半导体材料层。本专利技术根据实际在第三代半导体材料层上设计的电路来调整复合硅基板的凹陷区的位置，从而适应不同的电路设计需求。本专利技术中的绝缘缓冲层的作用是间隔硅和第三代半导体材料层，其次是在制备过程中起到保护硅的作用。优选地，所述绝缘缓冲层的材料为氮化硅、SiON(SiliconOxyni本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合硅基板，其特征在于，包括硅衬底，所述硅衬底的表面具有若干凹陷区，至少一个所述凹陷区内依次覆有绝缘缓冲层和第三代半导体材料层。

【技术特征摘要】
1.一种复合硅基板，其特征在于，包括硅衬底，所述硅衬底的表面具有若干凹陷区，至少一个所述凹陷区内依次覆有绝缘缓冲层和第三代半导体材料层。2.根据权利要求1所述的复合硅基板，其特征在于，所述绝缘缓冲层的材料为氮化硅、SiON、Al2O3中的至少一种。3.根据权利要求1所述的复合硅基板，其特征在于，所述硅衬底为SOI晶片。4.根据权利要求2所述的复合硅基板，其特征在于，所述SOI晶片中的绝缘衬底为蓝宝石、氮化铝中的至少一种。5.根据权利要求1-4任一项所述的复合硅基板，其特征在于，所述第三代半导体材料层的材料为氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝中的至少一种。6.权利要求1-5任一项所述的复合硅基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)取硅衬底，在所述硅衬底的表面刻蚀出凹陷区；(2)在所述凹陷区内制备氮化硅缓冲层；(3)在所述凹陷区的氮化硅缓冲层上制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：李方红，黄进清，常嘉兴，
申请(专利权)人：深圳市科创数字显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44