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本发明公开了一种复合硅基板及其制备方法、一种芯片和一种电子器件，所述复合硅基板包括硅衬底，所述硅衬底的表面具有若干凹陷区，至少一个所述凹陷区内依次覆有绝缘缓冲层和第三代半导体材料层。本发明的复合硅基板同时具有硅和第三代半导体材料两种半导体材...
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