芯片封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种芯片封装结构及其制造方法。上述芯片封装结构包括设置在芯片周围的框架、填入于芯片和框架之间空隙的填充材以及覆盖于芯片、框架和填充材之上的保护层。其中填充材的杨氏模数分别小于芯片的杨氏模数、框架的杨氏模数和保护层的杨氏模数。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其制造方法
本专利技术涉及一种封装结构，且特别是涉及一种芯片封装结构及其制造方法。
技术介绍
半导体封装的方式分为陶瓷封装和树脂封装两种方式。陶瓷封装具有防潮性佳、寿命长，但成本费用高；树脂封装具有成本低、产量大且性能符合市场需求，故目前是以树脂封装为主。一般树脂封装用的高分子材料有环氧树脂(Epoxy)、聚酰亚胺(Polyimide；PI)、酚醛树脂(Phenolics)、硅氧树脂(Silicones)等。这四种材料中，除散热量大的动力元件必须用成本较高的硅氧树脂外，大部分都采用环氧树脂。使用在封装胶中的环氧树脂有双酚A系(Bisphenol-A)、酚醛环氧树脂(Novolacepoxy)、环状脂肪族环氧树脂(Cyclicaliphaticepoxy)、环氧化丁二烯(epoxydizedbutadiene)等。目前使用的半导体封装材料以磷甲酚醛的多环性环氧树脂(O-CresoNovolacEpoxyResin；CNE)为主。但是，对于面板级封装制作工艺，在模封后，因模封材料热膨胀系数和芯片以及基板的热膨胀系数不同，易造成封装体的翘曲(warpage)，进而造成不易进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，该芯片封装结构包括：重布线路层，其中该重布线路层具有一上表面；芯片，设置于该重布线路层的该上表面上并电连接该重布线路层；框架，设置于该重布线路层的该上表面上且环绕该芯片；填充材，设置于该重布线路层的该上表面上且位于该框架和该芯片之间；以及保护层，覆盖于该芯片、该框架和该填充材之上，其中该填充材的杨氏模数分别小于该芯片、该框架和该保护层的杨氏模数，且该填充材的填充厚度至少为该保护层厚度的1.5倍。

【技术特征摘要】
2017.11.22 TW 106140493;2017.04.11 US 62/483,9611.一种芯片封装结构，其特征在于，该芯片封装结构包括：重布线路层，其中该重布线路层具有一上表面；芯片，设置于该重布线路层的该上表面上并电连接该重布线路层；框架，设置于该重布线路层的该上表面上且环绕该芯片；填充材，设置于该重布线路层的该上表面上且位于该框架和该芯片之间；以及保护层，覆盖于该芯片、该框架和该填充材之上，其中该填充材的杨氏模数分别小于该芯片、该框架和该保护层的杨氏模数，且该填充材的填充厚度至少为该保护层厚度的1.5倍。2.一种芯片封装结构，其特征在于，该芯片封装结构包括：重布线路层，其中该重布线路层具有一上表面；芯片，设置于该重布线路层的该上表面上并电连接该重布线路层；框架，设置于该重布线路层的该上表面上且环绕该芯片；填充材，设置于该重布线路层的该上表面上且位于该框架和该芯片之间，其中填充材的黏度在25℃时为2,000～20,000mPa·s；以及保护层，覆盖于该芯片、该框架和该填充材之上，其中该填充材的杨氏模数分别小于该芯片、该框架和该保护层的杨氏模数。3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其中该填充材的填充厚度至少为该保护层厚度的1.5倍。4.如权利要求1或2所述的芯片封装结构，其中该填充材的热膨胀系数小于30ppm/℃。5.如权利要求1或2所述的芯片封装结构，其中该填充材上表面的高度低于或等于该芯片上表面的高度。6.如权利要求1或2所述的芯片封装结构，其中该填充材的热膨胀系数小于该框架与该保护层的热膨胀系数。7.如权利要求1或2所述的芯片封装结构，其中该填充材包括位于该芯片底表面至该重布线路层的该上表面之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑惟元，李正中，郑少斐，陈文龙，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，创智智权管理顾问股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71