集成散热结构的硅基扇出型封装制造技术

本实用新型专利技术公开了一种集成散热结构的硅基扇出型封装，基于硅基扇出型封装技术，在埋入芯片后硅基体的第二表面直接制作散热结构，由晶圆级制程制造，加工精度高，过程简单，价格低。和传统机械加工的散热片相比，本实用新型专利技术可以在硅基体上直接使用硅微加工工艺制作尺寸更加精细的散热结构，在同样的单位体积内创造出更大的散热面积，实现了更好的散热效果。这种散热结构直接在埋入硅基板的芯片背面集成，集成密度高、体积小、重量轻。并且减少了外界环境与芯片之间的界面，进一步提高了散热效果。较佳的，可以在硅基体第二表面的散热结构上集成具有强制水冷的散热盖板，获得更高的散热效率。

【技术实现步骤摘要】
集成散热结构的硅基扇出型封装
本技术涉及半导体封装
，具体涉及一种集成散热结构的硅基扇出型封装。
技术介绍
晶圆级扇出封装是指通过重构圆片和圆片级再布线方式，把I/O通过再布线面阵列布满封装表面，以便于扩大I/O节距，满足下一级互连的节距要求。目前，传统的以eWLB为典型代表的扇出型封装技术中，芯片五面都被塑封材料(epoxymoldingcompound)包裹。然而，塑封材料一般热传导性较差，使得芯片的散热效率较低，需要额外集成散热结构，但额外的散热结构的集成制作较复杂，制作成本高。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术提出一种集成散热结构的硅基扇出型封装，基于硅基扇出型封装技术(eSiFO)，实现了更好的散热效果，且具有制作简单，制作成本低的优点。本技术的技术方案是这样实现的：一种集成散热结构的硅基扇出型封装，包括一硅基体，所述硅基体具有第一表面和第二表面，所述硅基体的第一表面上形成有至少一向所述第二表面延伸的凹槽，所述凹槽内设有至少一颗焊盘面向上的芯片，所述芯片的焊盘面上具有焊盘，至少有一个焊盘的电性通过导电扇出结构扇出至所述硅基体的第一表面上，所述硅基体的第二表面上直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成散热结构的硅基扇出型封装，包括一硅基体，所述硅基体具有第一表面和第二表面，所述硅基体的第一表面上形成有至少一向所述第二表面延伸的凹槽，所述凹槽内设有至少一颗焊盘面向上的芯片，所述芯片的焊盘面上具有焊盘，至少有一个焊盘的电性通过导电扇出结构扇出至所述硅基体的第一表面上，其特征在于，所述硅基体的第二表面上直接制作有散热结构。

【技术特征摘要】
1.一种集成散热结构的硅基扇出型封装，包括一硅基体，所述硅基体具有第一表面和第二表面，所述硅基体的第一表面上形成有至少一向所述第二表面延伸的凹槽，所述凹槽内设有至少一颗焊盘面向上的芯片，所述芯片的焊盘面上具有焊盘，至少有一个焊盘的电性通过导电扇出结构扇出至所述硅基体的第一表面上，其特征在于，所述硅基体的第二表面上直接制作有散热结构。2.根据权利要求1所述的集成散热结构的硅基扇出型封装，其特征在于，所述散热结构包括在所述硅基体的第二表面上直接制作的间隔排布的多个微通道，所述微通道自所述硅基体的第二表面向第一表面延伸一定距离。3.根据权利要求2所述的集成散热结构的硅基扇出型封装，其特征在于，所述微通道的横截面形状为孔状或沟道状。4.根据权利要求2所述的集成散热结构的硅基扇出型封装，其特征在于，所述微通...

【专利技术属性】
技术研发人员：王腾，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32