改善Ⅲ族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件技术

本发明专利技术公开了一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第三半导体上覆设介质层，并对所述介质层进行加工以暴露与所述异质结构的源、漏区域对应的所述第三半导体；对所述被暴露部分的第三半导进行减薄处理，以至少能够平衡二维电子气处电阻与势垒层电阻；对所述被暴露部分的第三半导体的表面进行处理，以增加被暴露部分的第三半导体的表面粗糙度；在所述被暴露部分的第三半导体上制作与所述异质结构连接的源极和漏极，在介质层上制作与所述异质结构连接的栅极，所述栅极分布于源极与漏极之间。

【技术实现步骤摘要】
改善III族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件
本专利技术涉及一种MIS-HEMT器件，特别涉及一种改善III族氮化物MIS-HEMT(metal-insulatorsemiconductorhighelectronmobilitytransistor)欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件，属于微电子工艺领域。
技术介绍
宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等特点，在高温以及微波功率器件制造领域具有极大的潜力。其中，GaN/AlGaNHEMT(high-electron-mobilitytransistor)器件在微波大功率和高温应用方面均具有明显的优势，已经成为当前研究的热点之一。GaN/AlGaNHEMT材料有很强的压电和自发极化效应，在未有意掺杂的情况下就能够形成高电子迁移率、高密度的二维电子气(2DEG)，正是二维电子气沟道的高导电能力和GaN/AlGaN材料的高耐压能力为GaN/AlGaNHEMT微波功率器件提供了材料基础。在微波领域，欧姆接触与频率特性直接相关，大的接触电阻严重影响微波器件性能。所以，减小欧姆接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法，其特征在于包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，并具有宽于第二半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第三半导体上覆设介质层，并对所述介质层进行加工以暴露与所述异质结构的源、漏区域对应的所述第三半导体；对所述被暴露部分的第三半导进行减薄处理，以至少能够平衡二维电子气处电阻与势垒层电阻；对所述被暴露部分的第三半导体的表面进行处理，以增加被暴露部分的第三半导体的表面粗糙度；在所述被暴露部分的第三半导体上制作与所述异质结构连接的源极和漏极，以及在所述介质层上制作与所述异质结构连接...

【技术特征摘要】
1.一种改善III族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法，其特征在于包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，并具有宽于第二半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第三半导体上覆设介质层，并对所述介质层进行加工以暴露与所述异质结构的源、漏区域对应的所述第三半导体；对所述被暴露部分的第三半导进行减薄处理，以至少能够平衡二维电子气处电阻与势垒层电阻；对所述被暴露部分的第三半导体的表面进行处理，以增加被暴露部分的第三半导体的表面粗糙度；在所述被暴露部分的第三半导体上制作与所述异质结构连接的源极和漏极，以及在所述介质层上制作与所述异质结构连接的栅极；所述源极和漏极能够通过所述二维电子气电连接，所述栅极分布于源极与漏极之间。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：在所述介质层上设置掩模，之后对所述介质层进行刻蚀处理，从而暴露与所述异质结构的源漏区域对应的所述第三半导体；优选的，所述刻蚀处理包括反应离子刻蚀处理。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：在所述第三半导体上设置掩模，之后对所述第三半导体进行刻蚀处理，使所述被暴露部分的第三半导体被减薄；优选的，所述掩模包括光刻胶掩模；优选的，所述刻蚀处理包括感应耦合等离子体刻蚀处理。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包括：在对所述被暴露部分的第三半导进行减薄后，至少在所述被减薄的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李夏珺，张宝顺，蔡勇，于国浩，付凯，张志利，孙世闯，宋亮，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32