The nanowire structure provided by the embodiment of the present invention and its manufacturing method form fins on the substrate, the two sides of the fin are correspondingly provided with grooves, and then an opening is formed in the middle area of the fin. The fins at the thinnest groove are completely oxidized first, but the fins at the groove are not completely oxidized. After removing the oxides, the fins that are not completely oxidized are retained and nanowires are formed in the opening.
【技术实现步骤摘要】
一种纳米线结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种纳米线结构及其制造方法。
技术介绍
随着超大规模集成电路的发展，器件的特征尺寸不断减小、集成度不断的提高，传统的平面MOS器件很难继续减小关键尺寸，短沟道效应愈发显著，成为影响器件性能的主导因素。纳米线器件是目前7nm以下MOS器件的解决方案之一，其是以纳米线结构为沟道，栅极将纳米线结构完全包围，具有好的栅控能力，使得器件具有更强的驱动电流，从而有效抑制短沟道效应。目前，如何纳米线结构的制造，提高与现有工艺的兼容性，是纳米线器件应用中的关键问题。此外，随着电路性能的不断提高，功耗也越来越大，功耗的增加会带来诸多的不利，如封装、散热、成本和可靠性等问题，因此，降低器件功耗，尤其是静态功耗，也是纳米线器件应用中另一个关键问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术旨在至少解决上述问题之一，提供一种纳米线结构及其制造方法，实纳米线结构的制造，与现有工艺的兼容性好。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种纳米线结构的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍，所述鳍的两侧壁上对应设...
【技术保护点】
1.一种纳米线结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍，所述鳍的两侧壁上对应设置有槽口，所述槽口从所述鳍的侧壁的一端延伸至另一端；覆盖所述鳍的两端，以在鳍的中部形成开口；在开口中形成纳米线，所述形成纳米线包括：进行氧化工艺，直至所述开口中槽口所在区域的部分鳍被完全氧化；去除氧化后的氧化物，以在所述开口中形成纳米线。
【技术特征摘要】
1.一种纳米线结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍，所述鳍的两侧壁上对应设置有槽口，所述槽口从所述鳍的侧壁的一端延伸至另一端；覆盖所述鳍的两端，以在鳍的中部形成开口；在开口中形成纳米线，所述形成纳米线包括：进行氧化工艺，直至所述开口中槽口所在区域的部分鳍被完全氧化；去除氧化后的氧化物，以在所述开口中形成纳米线。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成鳍，包括：进行一次或重复进行多次组合刻蚀工艺，每次所述组合刻蚀工艺包括：采用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述半导体衬底，以形成鳍的垂直部；在已形成的鳍表面上形成保护层；采用各向同性刻蚀工艺继续刻蚀所述半导体衬底，以继续形成部分高度的鳍。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，覆盖所述鳍的两端，以在鳍的中部形成开口，包括：在所述鳍的中部形成所述鳍上的假栅，在所述假栅的侧壁上形成侧墙，以及形成覆盖所述假栅两侧鳍的覆盖层；去除所述假栅，以形成开口。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述假栅上形成侧壁之后，形成覆盖层之前，还包括：在所述假栅两侧的鳍上形成源漏区；在形成纳米线之后，还包括：在开口中形成包围所述纳米线的栅区。5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述假栅两侧的鳍上形成源漏区，包括：通过刻蚀工艺，在所述假栅两侧的鳍上形成凹陷区；通过选择性外延生长工艺，在所述凹陷区形成具有应力...
【专利技术属性】
技术研发人员：马雪丽，王晓磊，王文武，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11
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