带封闭式缺口的两片式同步整流二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容，所述第二框架有两个外置引脚，第二框架上设有封闭式缺口，控制IC芯片固定在第二框架，内置电容的外接线端连接第二框架上，内接线端位于封闭式缺口处；第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片、控制IC芯片、内置电容之间通过键合线连接。带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积，排除了易造成不良的结构缺陷。

Two chip synchronous rectifier diode with closed gap

The utility model discloses a two-chip synchronous rectifier diode with a closed notch, which comprises a first frame, a MOSFET chip, a control IC chip, a second frame and a built-in capacitor. The second frame has two external pins, and the second frame is provided with a closed notch. The control IC chip is fixed in the second frame and the external capacitor is built-in. The terminal is connected to the second frame, and the inner terminal is located at a closed gap; the first frame is provided with an external pin, and the MOSFET chip is fixed on the first frame; the MOSFET chip, the control IC chip and the built-in capacitor are connected by a bonding line. The two-chip synchronous rectifier diode with a closed notch optimizes the structure, integrates the available area of PAD, and eliminates the defective structure.

【技术实现步骤摘要】
带封闭式缺口的两片式同步整流二极管
本技术涉及芯片生产领域，尤其是一种带封闭式缺口的两片式同步整流二极管。
技术介绍
肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管。现有的整流元件肖特基二极管存在整流损耗大转换效率低的问题。同步整流二极管是由控制IC、功率MOSFET及其附属电路组成，从而实现低损耗整流的新技术。现有同步整流结构元件拙而不巧，尺寸较大，散热困难、引脚纤细反复，对安装使用造成一定的困扰。
技术实现思路
为了解决现有技术的不足，本技术提出了带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积，排除了易造成不良的结构缺陷。本技术采用如下技术方案：带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容，所述第二框架有两个外置引脚，第二框架上设有封闭式缺口，控制IC芯片固定在第二框架，内置电容的外接线端连接第二框架上，内接线端位于封闭式缺口处；第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片、控制IC芯片、内置电容之间通过键合线连接。进一步地，所述内置电容为MLCC电容。进一步地，所述第一框架、第二框架为铜合金框架。进一步地，所述第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容通过键合线焊接成型后封装于塑封体内，构成一个整体的同步整流二极管。更进一步地，所述第一框架的外置引脚为同步整流二极管的阴极，第二框架的外置引脚为同步整流二极管的阳极。采用如上技术方案取得的有益技术效果为：顺应半导体整流器件向轻薄化、小型化、表面贴装的发展趋势，本技术研发的紧凑型同步整流结构及其制作方法，通过元件集成、优化结构，排除易造成不良的结构缺陷等手段，达到缩小元件尺寸，简化安装工艺，提高散热性之目的，因此该同步整流结构具有极大的优越性。带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积(PCB或印刷电路板中的焊盘放入面积)，排除了易造成不良的结构缺陷。利用冲切方式在第二框架上冲出闭合缺口以容纳MLCC电容，该方法保证了框架的完整性并提高了塑封体与框架的结合力，避免了塑封过程中胶体对框架的冲击作用，且整合了第二框架可利用PAD面积，为后期打键合线及扩展提供了空间。附图说明图1为带封闭式缺口的两片式同步整流二极管结构示意图。图2为带封闭式缺口的两片式同步整流二极管制作过程示意图。图3为带封闭式缺口的两片式同步整流二极管产品封装外形尺寸。图4为带封闭式缺口的两片式同步整流二极管产品内部控制原理图。图5为本技术正向整流应用电路图。图6为本技术反向整流应用电路图。图中，1、第一框架；2、MOSFET芯片；3、控制IC芯片；4、第二框架；5、内置电容。具体实施方式结合附图1至6对本技术的具体实施方式做进一步说明：实施例1：如图1所示，带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，包括第一框架1、MOSFET芯片2、控制IC芯片3、第二框架4、内置电容5，所述第二框架有两个外置引脚，第二框架上设有封闭式缺口，控制IC芯片固定在第二框架，内置电容的外接线端连接第二框架上，内接线端位于封闭式缺口处；第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片、控制IC芯片、内置电容之间通过键合线连接。内置电容为MLCC电容。第一框架、第二框架为铜合金框架。第一框架1、MOSFET芯片2、控制IC芯片3、第二框架4、内置电容5通过键合线焊接成型后封装于塑封体内，构成一个整体的同步整流二极管。利用冲切方式在第二框架上冲出闭合缺口以容纳MLCC电容，该方法保证了框架的完整性的前题下提高了塑封体与框架的结合力，比避免了塑封过程中胶体对框架的冲击作用，且整合了第二框架可利用PAD面积，为后期打键合线及扩展提供了空间。实施例2：带封闭式缺口的两片式同步整流二极管采用如下流程制备：(1)原物料准备：定制第一框架、第二框架(闭合缺口式)的铜合金框架，准备MOSFET芯片、控制IC芯片、内置电容，器件安装前检验外观及电性剔出不良。(2)芯片装片及焊接：通过自动焊接工序将MOSFET芯片与第一框架结合，控制IC芯片及内置电容与第二框架贴合，并焊接成型。(3)引线键合：通过自动打线机键合各器件构成回路。(4)塑封成型：将已键合完成的器件通过压模工序塑封成型。(5)电镀及切粒：去残胶、引脚镀锡(若框架采用镍钯金或镍金表面处理后则不需镀锡)、烘烤、切粒。(6)印测：将切粒后元件经测试机测试合格后印字装盒。(7)目检：显微镜下观察，剔除外观不良。(8)包装及入库。采用如上流程制作成如图3所示的带封闭式缺口的两片式同步整流二极管。实施例3：如实施例1所述，带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，第一框架的外置引脚为同步整流二极管的阴极，第二框架的外置引脚为同步整流二极管的阳极，内置电容位于开放式缺口处的引出端为电容接线端。如图4所示，当阴极电压大于阳极时内置电容充能为控制IC芯片供电；当控制IC芯片检测到元件端电压大于开通电压Von时，开通MOSFET芯片，当检测到元件端电压趋于零时，关闭MOSFET芯片。实施例4：带封闭式缺口的两片式同步整流二极管在正向整流应用、反向整流应用如图5、图6所示。在正向整流应用中，交流输入先经桥式整流电路，再经滤波、脉宽调制，由变压器变压，变压器的高压端连接带封闭式缺口的两片式同步整流二极管的阳极，再经稳压接负载。在反向整流应用中，交流输入先经桥式整流电路，再经滤波、脉宽调制，由变压器变压，变压器的低压端连接带封闭式缺口的两片式同步整流二极管的阴极，再经稳压接负载。当然，以上说明仅仅为本技术的较佳实施例，本技术并不限于列举上述实施例，应当说明的是，任何熟悉本领域的技术人员在本说明书的指导下，所做出的所有等同替代、明显变形形式，均落在本说明书的实质范围之内，理应受到本技术的保护。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，其特征在于，包括第一框架(1)、MOSFET芯片(2)、控制IC芯片(3)、第二框架(4)、内置电容(5)，所述第二框架(4)有两个外置引脚，第二框架(4)上设有封闭式缺口，控制IC芯片(3)固定在第二框架(4)，内置电容(5)的外接线端连接第二框架(4)上，内接线端位于封闭式缺口处；第一框架(1)设有一个外置引脚，MOSFET芯片(2)固定在第一框架(1)上；所述MOSFET芯片(2)、控制IC芯片(3)、内置电容(5)之间通过键合线连接。

【技术特征摘要】
1.带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，其特征在于，包括第一框架(1)、MOSFET芯片(2)、控制IC芯片(3)、第二框架(4)、内置电容(5)，所述第二框架(4)有两个外置引脚，第二框架(4)上设有封闭式缺口，控制IC芯片(3)固定在第二框架(4)，内置电容(5)的外接线端连接第二框架(4)上，内接线端位于封闭式缺口处；第一框架(1)设有一个外置引脚，MOSFET芯片(2)固定在第一框架(1)上；所述MOSFET芯片(2)、控制IC芯片(3)、内置电容(5)之间通过键合线连接。2.根据权利要求1所述的带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明芬，吴南，吕敏，李联勋，马东平，王鹏，徐明星，
申请(专利权)人：山东芯诺电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37