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本实用新型公开了带封闭式缺口的两片式同步整流二极管,包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容,所述第二框架有两个外置引脚,第二框架上设有封闭式缺口,控制IC芯片固定在第二框架,内置电容的外接线端连接第二框架上,内接线...该专利属于山东芯诺电子科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过山东芯诺电子科技股份有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了带封闭式缺口的两片式同步整流二极管,包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容,所述第二框架有两个外置引脚,第二框架上设有封闭式缺口,控制IC芯片固定在第二框架,内置电容的外接线端连接第二框架上,内接线...