薄膜太阳能领域光伏旁路二极管及其生产工艺、安装方法技术

技术编号:23607325 阅读:103 留言:0更新日期:2020-03-28 07:48
本发明专利技术公开一种薄膜太阳能领域光伏旁路二极管及其生产工艺、安装方法,属于半导体电气元件技术领域,包括二极管负极引线端和二极管正极引线端,二极管负极引线端和二极管正极引线端之间设有二极管芯片,二极管芯片的上方连接有键合跳线,其中二极管芯片放置在二极管负极引线端上,二极管负极引线端通过二极管芯片和键合跳线与二极管正极引线端连接,二极管芯片的下方设有框架芯片安装面,二极管芯片的外部设有二极管塑封体,二极管本体的背面与框架芯片安装面相对应的位置处设有背板散热片。本品将原始产品中分离的光伏二极管与延长引线集成在一起,取代客户端元件焊接工序。元件集成封装的的方式,元件散热能力得到显著增强。

Photovoltaic bypass diode in the field of thin film solar energy and its production process and installation method

【技术实现步骤摘要】
薄膜太阳能领域光伏旁路二极管及其生产工艺、安装方法
本专利技术涉及一种薄膜太阳能领域光伏旁路二极管及其生产工艺、安装方法,属于半导体电气元件

技术介绍
光伏旁路二极管,广泛应用于太阳能发电设备,通常并联反接于太阳能电池组件的正负极间。在异常情况下,可以保护光伏发电组件的安全、功率损耗最小,维持光伏发电装置正常运行。随着新型的薄膜太阳能技术的发展,薄膜太阳能电池板用的旁路二极管需求日益增长,而现有薄膜太阳用能旁路二极管的如图1-3所示,采用TO-277封装光伏二极管16,封装的二极管附加焊接延长线组合而成,客户端需人工为光伏二极管焊接延长引线,焊接完成后再与薄膜太阳能板组装,工序繁琐。产品本体过厚,影响客户使用。器件边缘过于锋利,容易划伤组件背面的保护薄膜,造成产品损伤。分立器件与框架的焊接的效果将直接影响组件的性能,人工焊接的良率不高,已经不能完全满足客户的使用需求。如图4所示,TO-277封装光伏二极管安装时,安装繁琐-应用原始产品时客户端需人工为光伏二极管焊接延长引线,焊接完成后再与薄膜太阳能板组装,工序较繁琐。分立器件与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜太阳能领域光伏旁路二极管,包括二极管本体,其特征在于:所述的二极管本体包括二极管负极引线端(1)和二极管正极引线端(2),二极管负极引线端(1)和二极管正极引线端(2)之间设有二极管芯片(9),二极管芯片(9)的上方连接有键合跳线(11),键合跳线(11)的一端与二极管芯片(9)的上面连接,另一端与二极管正极引线端(2)连接,其中二极管芯片(9)放置在二极管负极引线端(1)上,二极管负极引线端(1)通过二极管芯片(9)和键合跳线(11)与二极管正极引线端(2)连接,二极管芯片(9)的下方设有芯片安装面(8),二极管芯片(9)安放在芯片安装面(8)上方,二极管芯片(9)底面与芯片安装...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜太阳能领域光伏旁路二极管,包括二极管本体,其特征在于:所述的二极管本体包括二极管负极引线端(1)和二极管正极引线端(2),二极管负极引线端(1)和二极管正极引线端(2)之间设有二极管芯片(9),二极管芯片(9)的上方连接有键合跳线(11),键合跳线(11)的一端与二极管芯片(9)的上面连接,另一端与二极管正极引线端(2)连接,其中二极管芯片(9)放置在二极管负极引线端(1)上,二极管负极引线端(1)通过二极管芯片(9)和键合跳线(11)与二极管正极引线端(2)连接,二极管芯片(9)的下方设有芯片安装面(8),二极管芯片(9)安放在芯片安装面(8)上方,二极管芯片(9)底面与芯片安装面(8)结合,二极管芯片(9)的外部设有二极管塑封体(5),二极管本体的背面与芯片安装面(8)相对应的位置处设有背板散热片(7)。


2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能领域光伏旁路二极管,其特征在于:所述的二极管负极引线端(1)和二极管正极引线端(2)分别设有第一极性识别通孔(3)和第二极性识别通孔(6),第一极性识别通孔(3)和第二极性识别通孔(6)的数量不同,二极管负极引线端(1)和二极管正极引线端(2)的上下表面均设有V形防水槽(15)。


3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能领域光伏旁路二极管,其特征在于:所述的二极管负极引线端(1)上设有防反缺口(4)。


4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能领域光伏旁路二极管,其特征在于:所述的键合跳线(11)上设有跳线助焊通孔(13)和跳线应力释放孔(14)。


5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能领域光伏旁路二极管,其特征在于:所述的二极管塑封体(5)与框架之间设有锁胶孔,锁胶孔包括长形锁胶孔(10)和方形锁胶孔(12),长形锁胶孔(10)和方形锁胶孔(12)采用通孔式。


6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能领域光伏旁路二极管,其特征在于:所述的二极管芯片(9)采用肖特基光伏芯片。


7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能领域光伏旁路二极管,其特征在于:所述的二极管塑封体(5)采用薄形封装,边角做圆弧处理,二极管塑封体(5)采用环氧塑封材料。


8.根据权利要求1-7任一所述的薄膜太阳能领域光伏旁路二极管,其特征在于:所述的光伏旁路二极管还包括框架,框架上设置若干个光伏旁路二极管,框架的上下两侧设有边框(17),光伏旁路二极管的上下两侧均与上下设置的边框(17)连接,光伏旁路二极管在框架上呈矩阵式均匀排列,多个...

【专利技术属性】
技术研发人员:姜旭波吴南郝龙翠
申请(专利权)人:山东芯诺电子科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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