光电探测器制造技术

提供一种光电探测器。光电探测器包括设置在半导体衬底中的具有第一掺杂类型的第一阱。在半导体衬底中在第一阱的一侧上设置有具有第二掺杂类型的第二阱，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。在半导体衬底中设置有具有第二掺杂类型的第一经掺杂埋入区，其中第一经掺杂埋入区在第一阱及第二阱之下在横向上延伸穿过半导体衬底。在半导体衬底中在垂直方向上在第一经掺杂埋入区与第一阱之间设置有具有第二掺杂类型的第二经掺杂埋入区，其中第二经掺杂埋入区接触第一阱，使得沿第二经掺杂埋入区及第一阱存在光电探测器p‑n结。

Photodetector

【技术实现步骤摘要】
光电探测器
本专利技术实施例涉及一种光电探测器。
技术介绍
许多当今的电子装置(例如，智能手机(smartphone)、数字照相机(digitalcamera)、生物医学成像装置(biomedicalimagingdevice)、自动成像装置(automotiveimagingdevice)等)包括图像传感器。图像传感器包括一个或多个光电探测器(photodetector)(例如，光电二极管(photodiode)、光电晶体管(phototransistor)、光敏电阻器(photoresistor)等)，所述一个或多个光电探测器被配置成吸收入射辐射并输出与入射辐射对应的电信号。一些类型的图像传感器包括电荷耦合装置(charge-coupleddevice，CCD)图像传感器及互补金属氧化物半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor，CMOS)图像传感器。相比于CCD图像传感器，CMOS图像传感器因功耗低、尺寸小、数据处理快、直接输出数据及制造成本低而受到青睐。一些类型的CMOS图像传感器包括前照式(f本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电探测器，包括：/n包含第一掺杂类型的第一阱，设置在半导体衬底中，其中所述第一阱从所述半导体衬底的第一侧延伸到所述半导体衬底中；/n包含第二掺杂类型的第二阱，在所述第一阱的一侧上设置在所述半导体衬底中，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，其中所述第二阱从所述半导体衬底的所述第一侧延伸到所述半导体衬底中；/n包含所述第二掺杂类型的第一经掺杂埋入区，设置在所述半导体衬底中，其中所述第一经掺杂埋入区在所述第一阱及所述第二阱之下在横向上延伸穿过所述半导体衬底；以及/n包含所述第二掺杂类型的第二经掺杂埋入区，设置在所述半导体衬底中且在垂直方向上设置在所述第一经掺杂埋入区与所述第一阱之间，其...

【技术特征摘要】
20180920 US 62/733,970;20190510 US 16/408,8591.一种光电探测器，包括：
包含第一掺杂类型的第一阱，设置在半导体衬底中，其中所述第一阱从所述半导体衬底的第一侧延伸到所述半导体衬底中；
包含第二掺杂类型的第二阱，在所述第一阱的一侧上设置在所述半导体衬底中，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗文勋，徐英杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71