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提供一种光电探测器。光电探测器包括设置在半导体衬底中的具有第一掺杂类型的第一阱。在半导体衬底中在第一阱的一侧上设置有具有第二掺杂类型的第二阱，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。在半导体衬底中设置有具有第二掺杂类型的第一经掺杂埋入区，其中第一经...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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