一种半导体可变电容器集成装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体可变电容器集成装置，其结构包括固定柱、绝缘颗粒、外罩壳、连接栓、阴极箔、导线、降压装置、电解纸、胶带、阳极箔、铝壳、固定塞、固定套、电线，铝壳与外罩壳的内表面相嵌套，降压装置包括连接框架、外壳、导线连接板、下夹板、底板、铁芯、绕组、电线连接孔、上夹板，本实用新型专利技术一种半导体可变电容器集成装置，结构上设有降压装置，降压装置设于导线的右端面处，在对电路中的电压进行降压的过程中，电线连接孔可以连接电路，绕组与铁芯配合作用下可以产生较大的电阻进行降压，上夹板与下夹板可以固定住绕组与铁芯，导线连接板可以将降低电压的电流传输至电容器中，从而避免了较大的电压损坏电容器的问题。

A semiconductor variable capacitor integrated device

The utility model discloses a semiconductor variable capacitor integrated device, which comprises a fixing column, an insulating particle, an outer casing, a connecting bolt, a cathode foil, a conductor, a voltage reducing device, an electrolytic paper, a tape, an anode foil, an aluminum shell, a fixing plug, a fixing sleeve, a wire, an aluminum shell and an inner surface of the casing are embedded, and the voltage reducing device is installed. The utility model relates to a semiconductor variable capacitor integrated device, which is structurally equipped with a voltage-reducing device, and the voltage-reducing device is arranged at the right end face of the conductor to reduce the voltage in the circuit. In the middle, the wire connecting hole can connect the circuit, the winding and the iron core can produce greater resistance to reduce voltage, the upper splint and the lower splint can fix the winding and the iron core, and the wire connecting plate can transmit the current of reducing voltage to the capacitor, thus avoiding the problem of large voltage damage to the capacitor.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体可变电容器集成装置
本技术是一种半导体可变电容器集成装置，属于可变电容器领域。
技术介绍
可变电容器是一种电容值可变的电子器件，它的值由加载在两端的电压或者电流来控制，可变电容器的主要应用是在所谓的电压可控振荡器。现有技术公开了申请号为：201420241872.2的一种半导体可变电容器集成装置，其包括待测可变电容器组和若干个虚拟可变电容器，所述待测可变电容器组由n个第一待测可变电容器和n个第二待测可变电容器排列形成，每个所述第一待测可变电容器的栅极均连接一第一垫片，但是该现有技术对于电路降压的程度较低，导致较大的电压超过电容器的电荷存储量，易损坏电容器。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种半导体可变电容器集成装置，以解决的现有技术对于电路降压的程度较低，导致较大的电压超过电容器的电荷存储量，易损坏电容器的问题。为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现：一种半导体可变电容器集成装置，其结构包括固定柱、绝缘颗粒、外罩壳、连接栓、半导体连接板、阴极箔、导线、降压装置、电解纸、胶带、阳极箔、铝壳、固定塞、固定套、电线，所述固定柱的底面与外罩壳内表面的底部相黏合，所述固定套的底部与固定柱的上表面相贴合，所述电线嵌入安装于固定套的上表面，所述电线与固定塞的内表面相嵌套，所述电线嵌入安装于铝壳的上表面，所述铝壳的底面与连接栓的上表面相焊接，所述连接栓的底部与半导体连接板的上表面相连接，所述连接栓的底面通过导线与降压装置的左端面相连接，所述导线嵌入安装于半导体连接板的内表面，所述阳极箔的内表面与铝壳的外表面相贴合，所述阳极箔的外表面与阴极箔的内表面相黏合，所述阴极箔的外表面与电解纸的内表面相连接，所述电解纸的外表面与胶带的内表面相黏合，所述绝缘颗粒与外罩壳的内表面相贴合，所述铝壳与外罩壳的内表面相嵌套，所述降压装置包括连接框架、外壳、导线连接板、下夹板、底板、铁芯、绕组、电线连接孔、上夹板，所述连接框架的底面与上夹板的上表面相焊接，所述上夹板的底面与绕组的上表面相连接，所述绕组设于铁芯的左右两端，所述导线连接板的背部与底板的正表面相贴合，所述下夹板的底面与底板的上表面相焊接，所述电线连接孔嵌入安装于外壳的右端面。进一步地，所述导线连接板通过导线与连接栓的底面相连接。进一步地，所述外罩壳的底面与半导体连接板的上表面相焊接且相互垂直。进一步地，所述固定塞设于铝壳的上方。进一步地，所述电线的直径为0.5cm。进一步地，所述铝壳为圆柱体结构。进一步地，所述固定塞由不锈钢制成，硬度高且不易生锈。有益效果本技术一种半导体可变电容器集成装置，结构上设有降压装置，降压装置设于导线的右端面处，在对电路中的电压进行降压的过程中，电线连接孔可以连接电路，绕组与铁芯配合作用下可以产生较大的电阻进行降压，上夹板与下夹板可以固定住绕组与铁芯，导线连接板可以将降低电压的电流传输至电容器中，从而避免了较大的电压损坏电容器的问题。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本技术一种半导体可变电容器集成装置的结构示意图；图2为本技术一种降压装置的剖面结构示意图。图中：固定柱-1、绝缘颗粒-2、外罩壳-3、连接栓-4、半导体连接板-5、阴极箔-6、导线-7、降压装置-8、电解纸-9、胶带-10、阳极箔-11、铝壳-12、固定塞-13、固定套-14、电线-15、连接框架-801、外壳-802、导线连接板-803、下夹板-804、底板-805、铁芯-806、绕组-807、电线连接孔-808、上夹板-809。具体实施方式为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。请参阅图1、图2，本技术提供一种半导体可变电容器集成装置技术方案：其结构包括固定柱1、绝缘颗粒2、外罩壳3、连接栓4、半导体连接板5、阴极箔6、导线7、降压装置8、电解纸9、胶带10、阳极箔11、铝壳12、固定塞13、固定套14、电线15，所述固定柱1的底面与外罩壳3内表面的底部相黏合，所述固定套14的底部与固定柱1的上表面相贴合，所述电线15嵌入安装于固定套14的上表面，所述电线15与固定塞13的内表面相嵌套，所述电线15嵌入安装于铝壳12的上表面，所述铝壳12的底面与连接栓4的上表面相焊接，所述连接栓4的底部与半导体连接板5的上表面相连接，所述连接栓4的底面通过导线7与降压装置8的左端面相连接，所述导线7嵌入安装于半导体连接板5的内表面，所述阳极箔11的内表面与铝壳12的外表面相贴合，所述阳极箔11的外表面与阴极箔6的内表面相黏合，所述阴极箔6的外表面与电解纸9的内表面相连接，所述电解纸9的外表面与胶带10的内表面相黏合，所述绝缘颗粒2与外罩壳3的内表面相贴合，所述铝壳12与外罩壳3的内表面相嵌套，所述降压装置8包括连接框架801、外壳802、导线连接板803、下夹板804、底板805、铁芯806、绕组807、电线连接孔808、上夹板809，所述连接框架801的底面与上夹板809的上表面相焊接，所述上夹板809的底面与绕组807的上表面相连接，所述绕组807设于铁芯806的左右两端，所述导线连接板803的背部与底板805的正表面相贴合，所述下夹板804的底面与底板805的上表面相焊接，所述电线连接孔808嵌入安装于外壳802的右端面，所述导线连接板803通过导线7与连接栓4的底面相连接，所述外罩壳3的底面与半导体连接板5的上表面相焊接且相互垂直，所述固定塞13设于铝壳12的上方，所述电线15的直径为0.5cm，所述铝壳12为圆柱体结构，所述固定塞13由不锈钢制成，硬度高且不易生锈。本专利所说的胶带10是由基材和粘结剂两部分组成,通过粘接使两个或多个不相连的物体连接在一起，其表面上涂有一层粘着剂，所述电线15是由一根或几根柔软的导线组成，外面包以轻软的护层；电缆是由一根或几根绝缘包导线组成，外面再包以金属或橡皮制的坚韧外层。在进行使用时可以将降压装置8设于导线7的右端面处，在对电路中的电压进行降压的过程中，电线连接孔808可以连接电路，绕组807与铁芯806配合作用下可以产生较大的电阻进行降压，上夹板809与下夹板804可以固定住绕组807与铁芯806，导线连接板803可以将降低电压的电流传输至电容器中，从而避免了较大的电压损坏电容器的问题。本技术解决现有技术对于电路降压的程度较低，导致较大的电压超过电容器的电荷存储量，易损坏电容器的问题，本技术通过上述部件的互相组合，结构上设有降压装置，降压装置设于导线的右端面处，在对电路中的电压进行降压的过程中，电线连接孔可以连接电路，绕组与铁芯配合作用下可以产生较大的电阻进行降压，上夹板与下夹板可以固定住绕组与铁芯，导线连接板可以将降低电压的电流传输至电容器中，从而避免了较大的电压损坏电容器的问题，具体如下所述:所述降压装置8包括连接框架801、外壳802、导线连接板803、下夹板804、底板805、铁芯806、绕组807、电线连接孔808、上夹板809，所述连接框架801的底面与上夹板809的上表面相焊接，所述上夹板809的底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体可变电容器集成装置，其特征在于：其结构包括固定柱(1)、绝缘颗粒(2)、外罩壳(3)、连接栓(4)、半导体连接板(5)、阴极箔(6)、导线(7)、降压装置(8)、电解纸(9)、胶带(10)、阳极箔(11)、铝壳(12)、固定塞(13)、固定套(14)、电线(15)，所述固定柱(1)的底面与外罩壳(3)内表面的底部相黏合，所述固定套(14)的底部与固定柱(1)的上表面相贴合，所述电线(15)嵌入安装于固定套(14)的上表面，所述电线(15)与固定塞(13)的内表面相嵌套，所述电线(15)嵌入安装于铝壳(12)的上表面，所述铝壳(12)的底面与连接栓(4)的上表面相焊接，所述连接栓(4)的底部与半导体连接板(5)的上表面相连接，所述连接栓(4)的底面通过导线(7)与降压装置(8)的左端面相连接，所述导线(7)嵌入安装于半导体连接板(5)的内表面，所述阳极箔(11)的内表面与铝壳(12)的外表面相贴合，所述阳极箔(11)的外表面与阴极箔(6)的内表面相黏合，所述阴极箔(6)的外表面与电解纸(9)的内表面相连接，所述电解纸(9)的外表面与胶带(10)的内表面相黏合，所述绝缘颗粒(2)与外罩壳(3)的内表面相贴合，所述铝壳(12)与外罩壳(3)的内表面相嵌套，所述降压装置(8)包括连接框架(801)、外壳(802)、导线连接板(803)、下夹板(804)、底板(805)、铁芯(806)、绕组(807)、电线连接孔(808)、上夹板(809)，所述连接框架(801)的底面与上夹板(809)的上表面相焊接，所述上夹板(809)的底面与绕组(807)的上表面相连接，所述绕组(807)设于铁芯(806)的左右两端，所述导线连接板(803)的背部与底板(805)的正表面相贴合，所述下夹板(804)的底面与底板(805)的上表面相焊接，所述电线连接孔(808)嵌入安装于外壳(802)的右端面。...

【技术特征摘要】
1.一种半导体可变电容器集成装置，其特征在于：其结构包括固定柱(1)、绝缘颗粒(2)、外罩壳(3)、连接栓(4)、半导体连接板(5)、阴极箔(6)、导线(7)、降压装置(8)、电解纸(9)、胶带(10)、阳极箔(11)、铝壳(12)、固定塞(13)、固定套(14)、电线(15)，所述固定柱(1)的底面与外罩壳(3)内表面的底部相黏合，所述固定套(14)的底部与固定柱(1)的上表面相贴合，所述电线(15)嵌入安装于固定套(14)的上表面，所述电线(15)与固定塞(13)的内表面相嵌套，所述电线(15)嵌入安装于铝壳(12)的上表面，所述铝壳(12)的底面与连接栓(4)的上表面相焊接，所述连接栓(4)的底部与半导体连接板(5)的上表面相连接，所述连接栓(4)的底面通过导线(7)与降压装置(8)的左端面相连接，所述导线(7)嵌入安装于半导体连接板(5)的内表面，所述阳极箔(11)的内表面与铝壳(12)的外表面相贴合，所述阳极箔(11)的外表面与阴极箔(6)的内表面相黏合，所述阴极箔(6)的外表面与电解纸(9)的内表面相连接，所述电解纸(9)的外表面与胶带(10)的内表面相黏合，所述绝缘颗粒(2)与外罩壳(3)的内表面相贴合，所述铝壳(...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秋燕，
申请(专利权)人：福建品派包装有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35