一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT技术

本发明专利技术提供了一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，所述制备方法包括在衬底上预设的多个压力接触区对应的第一金属层上淀积第二金属层，形成金属电极；所述平面栅型压接式IGBT采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明专利技术提供的一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，在压力接触区上淀积两层金属，可以消除衬底中沟道区承受的压力，进而消除压力对功率器件的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT。
技术介绍
全控型电力电子器件IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，由于其具备优越的门极控制功能、较低的通态损耗以及驱动电路简单等优点，广泛应用于大功率高压设备领域。全控型电力电子器件IGBT从封装形式来分主要包括压接式IGBT和焊接式IGBT。其中，压接式IGBT相较于焊接式IGBT不需要芯片焊接，无引线键合，可减小寄生电感，同时实现双面散热，可靠性更高。同时压接式封装IGBT特点的短路失效模式易于串联应用，被广泛应用于特高压HVDC、静态无功补偿等领域。压接式IGBT在应用过程中需要承受8-65kN的压力，这个压力将对芯片结构产生影响进而影响其电热特性，如击穿电压、阈值电压、饱和电压和热阻特性。目前主要通过在压接式IGBT的芯片正面增加金属厚度的方式，利用金属的延展性缓冲IGBT芯片承受的压力，但是IGBT芯片沟道区依旧接触压力，无法避免压力对芯片的影响。
技术实现思路
为了克服现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种金属电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属电极制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底上预设的多个压力接触区对应的第一金属层上淀积第二金属层，形成金属电极。

【技术特征摘要】
1.一种金属电极制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底上预设的多个压力接触区对应的第一金属层上淀积第二金属层，形成金属电极。2.如权利要求1所述的一种金属电极制备方法，其特征在于，所述衬底的正面包括多个等间隔布置的元胞区；所述各压力接触区包括各相邻的两个所述元胞区之间的区域。3.如权利要求2所述的一种金属电极制备方法，其特征在于，所述淀积第二金属层之前包括：向所述各相邻的两个元胞区之间的区域注入P型离子，形成P型耐压环；在所述衬底的正面淀积第一金属层，所述第一金属层分别与所述P型耐压环和所述各元胞区的沟道区接触。4.如权利要求1或2所述的一种金属电极制备方法，其特征在于，所述各压力接触区按照多边形排布，且各压力接触区为条形压力接触区或方形压力接触区。5.如权利要求1或3所述的一种金...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘江，温家良，金锐，王耀华，高明超，赵哿，李立，冷国庆，崔磊，朱涛，甘朝阳，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院，国家电网公司，
类型：发明
国别省市：北京,11