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本发明提供了一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT,所述制备方法包括在衬底上预设的多个压力接触区对应的第一金属层上淀积第二金属层,形成金属电极;所述平面栅型压接式IGBT采用上述方法制备。与现有技术相比,本发明提供的一种金属电极制备方...该专利属于全球能源互联网研究院;国家电网公司所有,仅供学习研究参考,未经过全球能源互联网研究院;国家电网公司授权不得商用。
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