【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】全模制周边堆叠封装设备相关专利申请的交叉引用本申请要求2015年11月20日提交的名称为“Three-DimensionalFullyMoldedSemiconductorPackage”(三维全模制半导体封装)的美国临时专利62/258,308的权益(包括提交日期)，该美国临时专利的公开内容据此以引用方式并入本文。本申请也是2015年11月2日提交的名称为“SemiconductorDeviceandMethodComprisingRedistributionLayers”(包括再分布层的半导体器件和方法)的美国申请序列号14/930,514的美国专利申请的部分继续申请，该专利申请是2015年3月9日提交的名称为“SemiconductorDeviceandMethodComprisingThickenedRedistributionLayers”(包括增厚再分布层的半导体器件和方法)的申请序列号14/642,531的部分继续申请，该申请要求2014年3月10日提交的名称为“Wafer-Level-Chip-Scale-PackageswithThickRedis...
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有半导体管芯安装位点的临时载体；将导电互连件的第一部分形成在所述半导体管芯安装位点的周边中的所述临时载体上方；将蚀刻停止层形成在所述导电互连件的所述第一部分上方；将所述导电互连件的第二部分形成在所述蚀刻停止层上方和所述导电互连件的所述第一部分上方；将半导体管芯安装在所述半导体管芯安装位点处；使用模制化合物密封所述导电互连件和半导体管芯；在所述导电互连件的所述第二部分上暴露所述导电互连件的第一端；形成堆焊互连结构以连接半导体管芯和所述导电互连件的所述第一端；移除所述临时载体以在所述导电互连件的所述第二部分上暴露与所述导电互连件的所述第...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.20 US 62/258308;2016.05.10 US 15/1513841.一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有半导体管芯安装位点的临时载体；将导电互连件的第一部分形成在所述半导体管芯安装位点的周边中的所述临时载体上方；将蚀刻停止层形成在所述导电互连件的所述第一部分上方；将所述导电互连件的第二部分形成在所述蚀刻停止层上方和所述导电互连件的所述第一部分上方；将半导体管芯安装在所述半导体管芯安装位点处；使用模制化合物密封所述导电互连件和半导体管芯；在所述导电互连件的所述第二部分上暴露所述导电互连件的第一端；形成堆焊互连结构以连接半导体管芯和所述导电互连件的所述第一端；移除所述临时载体以在所述导电互连件的所述第二部分上暴露与所述导电互连件的所述第一端相反的所述导电互连件的第二端；以及蚀刻所述导电互连件的所述第一部分以暴露所述蚀刻停止层。2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述蚀刻停止层包括形成具有20-40μm范围内的厚度的焊料层。3.根据权利要求2所述的方法，还包括在蚀刻所述导电互连件的所述第一部分以暴露所述蚀刻停止层之后，使所述焊料蚀刻停止层回流以形成凸块。4.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述蚀刻停止层形成为可焊表面饰面，当所述导电互连件的所述第二部分耦接到导电凸块时，所述可焊表面饰面保留在所述导电互连件的所述第二部分上方。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：由未由蚀刻所述导电互连件的所述第一部分的第一蚀刻化学物质蚀刻的材料来形成所述蚀刻停止层；以及由未由蚀刻所述蚀刻停止层的第二蚀刻化学物质蚀刻的铜材料来形成所述导电互连件的所述第二部分。6.根据权利要求1所述的方法，还包括形成堆焊互连结构以连接所述半导体管芯和所述导电互连件的所述第一端。7.根据权利要求1所述的方法，还包括：使用第一研磨工艺暴露所述导电互连件的所述第一端；以及使用移除所述临时载体的第二研磨工艺暴露所述导电互连件的所述第二端。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：使用管芯附接膜(DAF)将所述半导体管芯安装在所述半导体管芯安装位点处；以及在移除所述临时载体之后暴露所述DAF材料。9.一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有半导体管芯安装位点的临时载体；将导电互连件形成在所述半导体管芯安装位点的周边中的所述临时载体上方；将半导体管芯安装在所述半导体管芯安装位点处；使用模制化合物密封所述导电互连件和半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯多佛·M·斯坎伦，威廉·博伊德·罗格，克拉格·比绍普，
申请(专利权)人：德卡科技公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY
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