保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片制造技术

本发明专利技术涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，在对保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片
本专利技术涉及保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片。本申请基于2016年4月28日在日本提出申请的日本特愿2016-92009号主张优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
近年来，正在进行着应用了所谓的被称作倒装(facedown)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，与半导体芯片的电路面相反侧的背面有时会露出。在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的包含有机材料的树脂膜，有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹从而利用保护膜。为了形成这样的保护膜，例如使用一种在支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中，保护膜形成用膜可通过固化而形成保护膜，还可将支撑片用作切割片，可制成保护膜形成用膜与切割片一体化的保护膜形成用复合片。作为这样的保护膜形成用复合片，例如迄今为止主要使用了具备通过加热而进行固化并由此形成保护膜的热固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。此时，例如利用热固化性的保护膜形成用膜将保护膜形成用复合片贴附于半导体晶圆的背面(与电极形成面相反侧的面)后，通过加热使保护膜形成用膜固化从而制成保护膜，通过切割将半导体晶圆与保护膜一同分割从而制成半导体芯片。然后，保持贴附有该保护膜的状态，将半导体芯片从支撑片上分离并进行拾取。另外，有时也以与上述相反的顺序进行保护膜形成用膜的固化与切割。然而，热固化性的保护膜形成用膜的加热固化通常需要数小时左右的长时间，因此期望缩短固化时间。对此，正在研究将可通过紫外线等能量射线的照射而固化的保护膜形成用膜用于保护膜的形成。例如，已经公开了形成在剥离膜上的能量射线固化型保护膜(参照专利文献1)、及能够形成高硬度且对半导体芯片的密着性优异的保护膜的能量射线固化型芯片保护用膜(参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本国专利第5144433号公报专利文献2：日本特开第2010-031183号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题然而，不确定专利文献1中公开的能量射线固化型保护膜对支撑片的粘着力是否合适。此外，对于专利文献2中公开的能量射线固化型芯片保护用膜，虽然公开了其形成在支撑片上，但不确定对支撑片的粘着力是否合适。如上所述，专利文献1及2中公开的保护膜形成用膜的拾取适性尚不明确。因此，本专利技术的目的在于提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、且具有良好的拾取适性的能量射线固化性的保护膜形成用膜、及具备所述保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。解决技术问题的技术手段为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，在对保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。在本专利技术的保护膜形成用膜中，所述表面(β)的表面粗糙度(Ra)优选为1.5μm以下。此外，本专利技术提供一种保护膜形成用复合片，其通过在支撑片上具备所述保护膜形成用膜而成，所述保护膜形成用膜的所述表面(β)面向所述支撑片。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种具备能量射线固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片，所述保护膜形成用膜可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、且具有良好的拾取适性。附图说明图1为示意性地表示本专利技术的保护膜形成用复合片的一个实施方式的剖面图。图2为示意性地表示本专利技术的保护膜形成用复合片的另一个实施方式的剖面图。图3为示意性地表示本专利技术的保护膜形成用膜的又一个实施方式的剖面图。具体实施方式◇保护膜形成用膜本专利技术的保护膜形成用膜为能量射线固化性的保护膜形成用膜，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。本专利技术的保护膜形成用膜可以在至少一侧的表面上具有第一剥离膜，也可以在另一侧的表面上进一步具有第二剥离膜。本专利技术的保护膜形成用膜可以以卷成卷状的长条状膜的形式进行提供。图3为示意性地表示本专利技术的保护膜形成用膜的一个实施方式的剖面图。在图3中，依次层叠有第一剥离膜15b、保护膜形成用膜13(23)及第二剥离膜15a。在本说明书中，在保护膜形成用膜中，有时将贴附在半导体晶圆的背面(即，与电路面相反侧的表面)的表面称为“表面(α)”，将与贴附在半导体晶圆的背面的表面相反侧的表面称为“表面(β)”。本专利技术的保护膜形成用膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)优选为0.038μm以上，优选为1.5μm以下。一方面，本专利技术涉及一种保护膜形成用膜，其为具有能量射线固化性的、用于在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的、与贴附在所述半导体晶圆或半导体芯片一侧的表面(α)相反侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。与贴附在所述半导体晶圆或半导体芯片一侧的表面(α)相反侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)优选为1.5μm以下。另一方面，本专利技术涉及一种保护膜形成用片，其具备第一剥离膜、及与所述第一剥离膜直接接触且具有能量射线固化性的保护膜形成用膜，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的、与所述第一剥离膜直接接触的一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。贴附在所述第一剥离膜一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)优选为1.5μm以下。与所述保护膜形成用膜的表面(β)直接接触的第一剥离膜的表面的表面粗糙度(Ra)优选为0.03～2.0μm，更优选为0.05～1.8μm。通过在具有上述表面粗糙度(Ra)的剥离膜的表面上直接层叠保护膜形成用膜，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，可将所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)调整为0.038μm以上、1.5μm以下。即，通过将所述保护膜形成用膜的、与贴附有第一剥离膜的一侧相反侧的表面(α)贴附在半导体晶圆或半导体芯片的背面，对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜，并剥离所述第一剥离膜，可将所述保护膜的表面(β)的表面粗糙度(Ra)调整为0.038μm以上、1.5μm以下。在本专利技术的保护膜形成用膜中，所述表面(β)的表面粗糙度(Ra)优选为0.038～1.5μm，更优选为0.04～1.47μm，更优选为0.08～1.47μm，进一步优选为0.8～1.43μm。在本说明书中，保护膜形成用膜的表面(β)的表面粗糙度(Ra)可通过实施例中记载的测定方法进行测定。◇保护膜形成用复合片本专利技术的保护膜形成用复合片通过在支撑片上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜而成，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。在本专利技术的保护膜形成用复合片中，优选所述保护膜形成用膜的所述表面(β)面向所述支撑片。本专利技术的保护膜形成用复合片中的所述保护膜形成用膜的所述表面(β)优选为0.038μm以上，优选为1.5μm以下。此外，在本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.28 JP 2016-0920091.一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗...

【专利技术属性】
技术研发人员：小桥力也，稻男洋一，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP