发光器件封装制造技术

本文公开了一种具有改善的光提取效率的发光器件封装。该发光器件封装包括：衬底，发光器件，设置在该衬底上，以及光传导单元，设置在该发光器件上方，该光传导单元与该发光器件隔开，其中在该发光器件的上表面与该光传导单元之间的距离是0.15mm到0.35mm。

【技术实现步骤摘要】
发光器件封装本申请是申请号为201410008737.8、专利技术名称为“发光器件封装”、申请日为2014年01月08日的专利技术专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求在2013年1月8日于韩国申请的韩国专利申请号10-2013-0002145的优先权，其全部内容通过参考合并于此，如同在本文完整阐述一样。
本申请实施例涉及一种发光器件封装。
技术介绍
基于对薄膜生长方法和器件材料的研发，使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料的发光器件(例如发光二极管(LED)或激光二极管(LD))呈现诸如红、绿、蓝和紫外线等多种颜色，通过使用荧光物质或通过进行多种颜色的组合而实现了具有高效率的白光，与诸如荧光灯和白炽灯等传统光源相比，其具有诸如低功耗、半永久性寿命、高反应速度、安全和环境友好等优点。这种发光器件的应用范围已被引伸到光通信系统的传送模块、取代冷阴极荧光灯(CCFL)构成诸如液晶显示器(LCD)等显示器件的背光的发光二极管、以及取代荧光灯或白炽灯用作车头灯和交通灯的白光发光二极管发光器件。当制造包括发光器件的发光器件封装时，需要通过呈现发光器件产生的光以发射至外部，而不会被发光器件封装中的其他组件局限或吸收，来改善发光器件封装的光提取效率。
技术实现思路
本申请实施例提供一种具有改善的光提取效率的发光器件封装。在一个实施例中，一种发光器件封装包括：衬底；发光器件，设置在该衬底上；以及光传导(lighttransmission)单元，设置在该发光器件上方，该光传导单元与该发光器件隔开，其中在该发光器件的上表面与光传导单元之间的距离是0.15mm到0.35mm。该发光器件封装还可以包括支撑单元，沿着衬底的外周设置在该衬底上，其中该光传导单元由该支撑单元支撑。该支撑单元可包括：第一区域，沿与光传导单元平行的第一方向设置；以及第二区域，沿不同于第一方向的第二方向设置，其中该第一区域接触该光传导单元。该第一区域可以从第二区域的端部沿第一方向延伸。该第一区域可以从该第二区域的中部沿第一方向延伸。该光传导单元可以接触第一区域的朝向衬底底面的一侧。该发光器件发光的波长范围可以是260nm到405nm。该衬底可包括陶瓷材料。该发光器件可以被导线接合至该衬底。该发光器件封装还可以包括副底座，设置在该衬底与该发光器件之间。附图说明下面将参考以下附图对设置和实施例进行具体描述，其中相同的附图标记指代类似的元件，并且其中：图1和图2是示出根据第一实施例的发光器件封装的剖视图；图3是示出可应用于根据本实施例的发光器件封装的发光器件的示例的剖视图；图4是示出可应用于根据本实施例的发光器件封装的发光器件的另一示例的剖视图；图5是示出发光器件封装的光输出功率(作为在发光器件的上表面与光传导单元之间的距离的函数)的测试结果的图表；图6是根据第二实施例的发光器件封装的剖视图；图7是根据第三实施例的发光器件封装的剖视图；图8是根据第四实施例的发光器件封装的剖视图；图9是根据第五实施例的发光器件封装的剖视图；以及图10是根据第六实施例的发光器件封装的剖视图。图11是示出包括根据实施例的发光器件封装的车头灯的实施例的视图。图12是示出包括根据本实施例的发光器件封装的显示器件的实施例的视图。具体实施方式下面，将参照附图对实施例加以描述。应当理解，当提到元件位于另一个元件“之上”或“之下”时，它能够直接位于该元件之上/之下，并且也可以有一个或多个插入元件。当提到元件位于“之上”或“之下”时，能够基于该元件而包括“在该元件之下”以及“在该元件之上”。在图中，为了便于描述和清楚起见，每一层的厚度或尺寸可以夸大、省略或示意性绘示。另外，每一组成元件的尺寸或面积并不完全反映其实际尺寸。图1和图2是示出根据第一实施例的发光器件封装的剖视图。参照图1，根据第一实施例的发光器件封装200A包括衬底210、发光器件100和光传导单元230。衬底210可包括陶瓷材料。例如，可以对衬底210执行高温共烧陶瓷(cofiredceramic)(HTCC)或低温共烧陶瓷(LTCC)方法。衬底210可包括诸如氮化物或氧化物等绝缘材料，其示例包括SiO2、SixOy、Si3Ny、SiOxNy、Al2O3或AlN。衬底210可包括单层或多个层。当衬底210包括多个层时，各层的厚度可以相同或不同。当衬底210包括多个层时，各层在制造过程期间可以是彼此不同的单独的层，并且可以在烧制完成之后被整体结合起来。如图2所示是其中衬底210包括多个层的情形的一个示例。如图2所示，是其中衬底210包括多个层210-1至210-6的情形，但构成衬底210的层数可以根据实施例而改变。虽然图未示出，但衬底210可以设置有通孔，且该通孔可以是包括导电材料的导电通孔。导电通孔可以被电连接至衬底210的电极图案。衬底210可以设置有具有侧壁和底面的空腔212。发光器件100设置在空腔212中。空腔212的侧壁可包括倾斜表面，以向上反射在发光器件100中产生的光并因此而提高光提取效率。空腔212的至少部分侧壁和底面可涂覆、电镀或沉积有反射元件(未示出)。发光器件100包括使用多个化合物半导体层(例如III-V族或II-VI族半导体层)的发光二极管(LED)，而LED可以是发出诸如蓝、绿或红光的彩色LED、白光LED或UVLED。通过改变构成半导体层的材料的类型和浓度，从LED发出的光可以实现改变，而本公开不限于此。当发光器件100是发出UV的UVLED时，其发光波长是260nm到405nm。图3是示出可应用于根据本实施例的发光器件封装的发光器件的示例的剖视图。参照图3，根据该示例的发光器件100A包括：衬底110；发光结构120，设置在该衬底110上且包括第一半导体层122、有源层124和第二半导体层126；第一电极150，设置在该第一半导体层122的一侧上；以及第二电极155，设置在第二半导体层126的一侧上。根据该示例的发光器件100A可以是横向型(lateral)发光器件。该横向型发光器件意指这样的结构，其中第一电极150和第二电极155相对于发光结构120在相同的方向上形成。例如，参照图3，第一电极150和第二电极155在发光结构120的上部方向上形成。生长衬底110可以由适用于半导体材料生长且具有优良的导热率的材料形成。例如，生长衬底110可以是蓝宝石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge和Ga2O3中的至少一种。出现在生长衬底110表面的杂质可以通过湿洗或等离子体处理而被移除。例如，发光结构120可以通过包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)或氢化物气相外延(HVPE)的方法来形成，但本公开不限于此。缓冲层112可以设置在发光结构120与生长衬底110之间。缓冲层112用以减小在发光结构120与生长衬底110的材料之间的晶格失配和热膨胀系数的差异。用于缓冲层112的材料可以是III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体，例如是GaN、InN、AlN、InGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一种。可以在低于发光结构120生长温度的温度下生长缓冲层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件封装，包括：衬底；发光器件，设置在该衬底上；以及光传导单元，设置在该发光器件上方，该光传导单元与该发光器件隔开，其中在该发光器件的上表面与该光传导单元之间的距离是0.15mm到0.35mm。

【技术特征摘要】
2013.01.08 KR 10-2013-00021451.一种发光器件封装，包括：衬底；发光器件，设置在该衬底上；以及光传导单元，设置在该发光器件上方，该光传导单元与该发光器件隔开，其中在该发光器件的上表面与该光传导单元之间的距离是0.15mm到0.35mm。2.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括支撑单元，沿着该衬底的外周设置在该衬底上，其中该光传导单元由该支撑单元支撑。3.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中该支撑单元包括：第一区域，沿与该光传导单元平行的第一方向设置；以及第二区域，沿不同于该第一方向的第二方向设置，其中该第一区域接触该光传导单元。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：金炳穆，小平洋，金夏罗，反田祐一郎，大关聪司，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR