一种用于多晶硅铸锭坩埚的盖板制造技术

本发明专利技术提出一种用于多晶硅铸锭坩埚的盖板，包括盖板本体，盖板本体中开设有进气孔，盖板本体下方装设有气流挡板，该气流挡板的位置与进气孔位置对应，盖板本体与气流挡板之间留有供气流排出的间隙。该用于多晶硅铸锭坩埚的盖板在进气孔周围开设挂孔，然后通过碳/碳悬挂螺杆在下面悬挂气流挡板，并在气流挡板中心开设测温孔，进气管出来的气流直接吹在气流挡板上，并向四周分散，由于气流反弹面的上升，将有利于减少涡流的产生，使得多晶硅铸锭表面的杂质减少，有利于提升产品质量。

Cover plate for polycrystalline silicon ingot crucible

The invention provides a cover plate for polycrystalline silicon ingot crucible, which comprises a cover plate body, an air inlet hole is arranged in the cover plate body, and an air flow baffle is arranged under the cover plate body. The position of the air flow baffle plate corresponds to the position of the air inlet hole, and a gap for air flow discharge is left between the cover plate body and the air flow baffle plate. A hanging hole is arranged around the air inlet hole of the cover plate of the polycrystalline silicon ingot crucible, and then the air flow baffle plate is suspended under the carbon/carbon hanging screw, and a temperature measuring hole is arranged in the center of the air flow baffle plate. The air flow from the intake pipe is blown directly on the air flow baffle plate and dispersed around it, which will be beneficial to reducing the rise of the air flow rebound surface. With less vortex generation, the impurities on the surface of polysilicon ingot will be reduced, which will help improve the quality of products.

【技术实现步骤摘要】
一种用于多晶硅铸锭坩埚的盖板
本专利技术涉及多晶硅生产设备，尤其涉及一种用于多晶硅铸锭坩埚的盖板。
技术介绍
金刚线切多晶随着制绒难题的解决已出现爆发式增长，金刚线切多晶面临着诸多的挑战，其中最主要的挑战就是杂质含量。相比单晶硅，铸造多晶硅锭较高的碳氮杂质在切割过程中会造成切线痕及TTV、钢线磨损、断线等不良发生，反应到电池端则为低效及漏电等电性能不良。杂质含量将成为金刚线切割细线化进程的最大障碍。常用的多晶硅铸锭坩埚在生产过程中从进气管出来的氩气直接吹在硅锭表面，然后气流从坩埚护板的开孔处流出，这样容易在坩埚的角部等区域形成涡流，使该区域杂质不易排出。因此，有必要对这种多晶硅铸锭坩埚进行结构优化，以克服上述缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于多晶硅铸锭坩埚的盖板，以改善硅锭顶部的气流流向，更好的将杂质排出。本专利技术为解决其技术问题所采用的技术方案是：一种用于多晶硅铸锭坩埚的盖板，包括盖板本体，盖板本体中开设有进气孔，盖板本体下方装设有气流挡板，该气流挡板的位置与进气孔位置对应，盖板本体与气流挡板之间留有供气流排出的间隙。在本专利技术的一个实施例中，进气孔及气流挡板均为圆形，进气孔的中轴线与气流挡板的中轴线重合，气流挡板的直径大于进气孔的直径。进一步，气流挡板中开设有测温孔，测温孔的中轴线与进气孔的中轴线重合，并且测温孔的直径小于进气孔的直径。在本专利技术的一个实施例中，盖板本体中开设有一组挂孔，各挂孔围绕进气孔顺次排布，气流挡板边缘开设有一组勾孔，各勾孔围绕测温孔顺次排布，勾孔与挂孔位置对应，盖板本体与气流挡板之间设有一组悬挂螺杆，悬挂螺杆顶端伸入挂孔中，与盖板本体连接，其底端伸入勾孔中，与气流挡板连接，使气流挡板悬挂于盖板本体下方；悬挂螺杆采用碳/碳复合材料制作。本专利技术的优点在于：该用于多晶硅铸锭坩埚的盖板在进气孔周围开设挂孔，然后通过碳/碳悬挂螺杆在下面悬挂气流挡板，并在气流挡板中心开设测温孔，进气管出来的气流直接吹在气流挡板上，并向四周分散，由于气流反弹面的上升，将有利于减少涡流的产生，使得多晶硅铸锭表面的杂质减少，有利于提升产品质量。附图说明图1是本专利技术提出的用于多晶硅铸锭坩埚的盖板的结构示意图；图2是该盖板的侧视图；图3是该盖板的俯视图。具体实施方式为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合图示与具体实施例，进一步阐述本专利技术。如图1、图2、图3所示，本专利技术提出的用于多晶硅铸锭坩埚的盖板包括盖板本体1，盖板本体中开设有进气孔2，盖板本体下方装设有气流挡板3，该气流挡板的位置与进气孔位置对应，盖板本体与气流挡板之间留有供气流排出的间隙。在本实施例中，进气孔及气流挡板均为圆形，进气孔的中轴线与气流挡板的中轴线重合，气流挡板的直径大于进气孔的直径。进一步，气流挡板中开设有测温孔4，测温孔的中轴线与进气孔的中轴线重合，并且测温孔的直径小于进气孔的直径。在本实施例中，盖板本体中开设有一组挂孔5，各挂孔围绕进气孔顺次排布，气流挡板边缘开设有一组勾孔6，各勾孔围绕测温孔顺次排布，勾孔与挂孔位置对应，盖板本体与气流挡板之间设有一组悬挂螺杆7，悬挂螺杆顶端伸入挂孔中，与盖板本体连接，其底端伸入勾孔中，与气流挡板连接，使气流挡板悬挂于盖板本体下方；本实施例中，悬挂螺杆采用碳/碳复合材料制作；气流挡板的直径约220mm，盖板本体与气流挡板之间的距离约36mm。该用于多晶硅铸锭坩埚的盖板在进气孔周围开设挂孔，然后通过碳/碳悬挂螺杆在下面悬挂气流挡板，并在气流挡板中心开设测温孔，进气管出来的气流直接吹在气流挡板上，并向四周分散，由于气流反弹面的上升，将有利于减少涡流的产生，使得多晶硅铸锭表面的杂质减少，有利于提升产品质量。以上实施方式只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让本领域的技术人员了解本专利技术的内容并加以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围，凡根据本专利技术精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于多晶硅铸锭坩埚的盖板，其特征在于：包括盖板本体，盖板本体中开设有进气孔，盖板本体下方装设有气流挡板，该气流挡板的位置与进气孔位置对应，盖板本体与气流挡板之间留有供气流排出的间隙。

【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅铸锭坩埚的盖板，其特征在于：包括盖板本体，盖板本体中开设有进气孔，盖板本体下方装设有气流挡板，该气流挡板的位置与进气孔位置对应，盖板本体与气流挡板之间留有供气流排出的间隙。2.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅铸锭坩埚的盖板，其特征在于：进气孔及气流挡板均为圆形，进气孔的中轴线与气流挡板的中轴线重合，气流挡板的直径大于进气孔的直径。3.根据权利要求2所述的一种用于多晶硅铸锭坩埚的盖板，其特征在于：气流挡板中开设有测温孔，测温孔的中轴线与进气孔的中轴线...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾国伟，乔晓东，
申请(专利权)人：嘉兴耐进新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33