【技术实现步骤摘要】
单晶硅连续生长的坩埚
本技术涉及单晶硅生产设备，尤其涉及一种单晶硅连续生长的坩埚。
技术介绍
单晶硅是硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。用于制造半导体器件、太阳能电池等。单晶硅连续拉制，需要进行连续加料，并且晶体生长需要平静的液面。常用的坩埚难以满足该要求，使得生产效率不高，产品质量难以保证。因此，有必要对这种坩埚进行结构优化，以克服上述缺陷。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种单晶硅连续生长的坩埚，使晶体生长区液面保持平静，有利成晶，实现连续加料和连续生长晶体。本技术为解决其技术问题所采用的技术方案是，一种单晶硅连续生长的坩埚，包括主埚体，主埚体顶部开口，主埚体中设有副埚体，主埚体内壁与副埚体外壁之间具有可连续添加硅原料的空间，副埚体内具有可连续拉制单晶硅的空间，副埚体两端开口，其底端固定于主埚体底面，副埚体侧壁设有流孔，主埚体内壁与副埚体外壁之间的硅原料可通过流孔进入副埚体内。主埚体底面具有汇流环边，汇流环边位于主埚体内壁与副埚体外壁之间，汇流环边外侧边的高度大于其内侧边的高度。主埚体底面具有定位环，定位环中具有环槽，副埚体底端插入环槽内，使副埚体与主埚体固定连接。副埚体的高度小于主埚体的高度。流孔位于副埚体侧壁底部。本技术的优点在于，该坩埚采用主埚体与副埚体拼装的方式，形成里外两层坩埚，主埚体底面具有环槽，副埚体底端插入环槽内即可定位，主埚体内壁与副埚体外壁之间为连续加料区，这个区域离加热器最近，温度相对于坩埚中心区域要高，可边加料边熔化，且副埚体侧壁设有流孔，连续...
【技术保护点】
1.单晶硅连续生长的坩埚，其特征在于：包括主埚体，主埚体顶部开口，主埚体中设有副埚体，主埚体内壁与副埚体外壁之间具有可连续添加硅原料的空间，副埚体内具有可连续拉制单晶硅的空间，副埚体两端开口，其底端固定于主埚体底面，副埚体侧壁设有流孔，主埚体内壁与副埚体外壁之间的硅原料可通过流孔进入副埚体内。
【技术特征摘要】
1.单晶硅连续生长的坩埚，其特征在于：包括主埚体，主埚体顶部开口，主埚体中设有副埚体，主埚体内壁与副埚体外壁之间具有可连续添加硅原料的空间，副埚体内具有可连续拉制单晶硅的空间，副埚体两端开口，其底端固定于主埚体底面，副埚体侧壁设有流孔，主埚体内壁与副埚体外壁之间的硅原料可通过流孔进入副埚体内。2.根据权利要求1所述的单晶硅连续生长的坩埚，其特征在于：主埚体底面具有汇流环边，汇流环边位...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾国伟，乔晓东，
申请(专利权)人：嘉兴耐进新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33
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